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      FGH12040WD_F155 1200 V 40 A場截止溝槽IGBT

      數(shù)據(jù)：

      飛兆半導體的場截止第2代 IGBT新系列采用的是新穎的電場截止型IGBT技術(shù)，為低導通和開關(guān)損耗的焊接和PFC應(yīng)用提供最優(yōu)性能。
      特性
      • 最大結(jié)溫：T J = 175°C
      • 正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)運行
      • 低飽和電壓：V CE（sat） = 2.3 V（典型值）@ I C = 40
      • I LM （1）部件100％檢測
      • 短路耐用性> 5 us @ 150°C
      • 高輸入阻抗
      • 符合RoHS標準

      電路圖、引腳圖和封裝圖




      技術(shù)文檔

      數(shù)據(jù)手冊（1） 相關(guān)資料（2）
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