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      FDG6303N 雙N溝道數(shù)字FET

      數(shù)據(jù)：

      產(chǎn)品信息

      這些雙N溝道邏輯電平增強(qiáng)模式場效應(yīng)晶體管采用飛兆半導(dǎo)體專有的高電池密度DMOS技術(shù)生產(chǎn)。 這種密度非常高的工藝是專為最大限度地降低導(dǎo)通阻抗而定制的。 該器件特別為低電壓應(yīng)用設(shè)計，以替代雙極數(shù)字晶體管和小信號MOSFETS。
      • 25V、0.50A（連續(xù)值）、1.5A（峰值）。
      • R
      • = 0.45 Ω @ V
      • = 4.5 V，
      • R
      • = 0.60 Ω @ V
      • = 2.7 V。
      • 電平柵極驅(qū)動要求極低，從而可在3V電路中直接運(yùn)行(V
      • < 1.5 V)。
      • 柵-源齊納二極管增強(qiáng)耐靜電放電(ESD)能力（>6kV人體模型）。
      • 緊湊的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SC70-6表面貼裝封裝。

      技術(shù)文檔

      數(shù)據(jù)手冊（1） 相關(guān)資料（8）
      元器件購買 FDG6303N 相關(guān)庫存

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