FDG6303N 雙N溝道數(shù)字FET

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產(chǎn)品信息

這些雙N溝道邏輯電平增強模式場效應(yīng)晶體管采用飛兆半導(dǎo)體專有的高電池密度DMOS技術(shù)生產(chǎn)。這種密度非常高的工藝是專為最大限度地降低導(dǎo)通阻抗而定制的。該器件特別為低電壓應(yīng)用設(shè)計，以替代雙極數(shù)字晶體管和小信號MOSFETS。

25V、0.50A（連續(xù)值）、1.5A（峰值）。
R
= 0.45 Ω @ V
= 4.5 V，
R
= 0.60 Ω @ V
= 2.7 V。
電平柵極驅(qū)動要求極低，從而可在3V電路中直接運行(V
< 1.5 V)。
柵-源齊納二極管增強耐靜電放電(ESD)能力（>6kV人體模型）。
緊湊的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SC70-6表面貼裝封裝。

技術(shù)文檔

數(shù)據(jù)手冊（1）相關(guān)資料（8）

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元器件購買 FDG6303N 相關(guān)庫存

MOSFETs

型號：FDG6303N 封裝：SOT-363

品牌：ON 描述：數(shù)字FET，雙N溝道 VDS=25V ID=0.5A PD=0.3W SOT363

金額：￥0.91993
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型號：FDG6303N 封裝：SOT-363

品牌：VBsemi 描述：MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=2.3A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT363

金額：￥0.77970
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