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      STMicroelectronics

      STP10N62K3

      MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220AB

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      STP10N62K3 器件參數(shù)

      Function

      • 閾值電壓
        3.75 V
      • 閘/源截止電壓
        3.75 V
      • 連續(xù)漏極電流
        8.4 A
      • 輸入偏置電容
        1.25 nF
      • 漏源電阻
        680 mΩ
      • 漏源電壓
        620 V
      • 漏源極擊穿電壓
        650 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        750 mΩ
      • 柵源電壓
        30 V
      • 柵極電荷
        42 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時(shí)間
        14.5 ns
      • 功率耗散
        125 W
      • 關(guān)閉延遲時(shí)間
        41 ns
      • 元件數(shù)量
        1
      • 下降時(shí)間
        31 ns
      • 上升時(shí)間
        15 ns

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        3
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Through Hole
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數(shù)量
        50
      • 制造商封裝
        TO-220

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      Dimension

      • 高度
        15.75 mm
      • 長度
        10.4 mm
      • 寬度
        4.6 mm

      STP10N62K3 數(shù)據(jù)手冊(cè)

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        上傳于
        來源
      • STP10N62K3
        1年前
        Huaqiu Chip

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