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      Infineon

      IRL3803VSPBF

      30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, D2PAK-3, RoHS

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      IRL3803VSPBF 器件參數(shù)

      Function

      • 配置
        Single
      • 連續(xù)漏極電流
        140 A
      • 輸入偏置電容@25V
        3.72 nF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電阻
        7.5 mΩ
      • 漏源電壓
        30 V
      • 漏源極擊穿電壓
        30 V
      • 漏源導通電阻@10V,71A
        5.5 mΩ
      • 漏源導通電阻
        5.5 mΩ
      • 柵源電壓
        16 V
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        1 V
      • 柵極電荷@4.5V
        76 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時間
        16 ns
      • 反向傳輸電容@25V
        270 pF
      • 功率耗散
        200 W
      • 關閉延遲時間
        29 ns
      • 元件數(shù)量
        1

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        3
      • 工作溫度@Tj
        175 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        175 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數(shù)量
        50
      • 制造商封裝
        D2PAK(TO-262)

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • RoHS
        yes

      Dimension

      • 高度
        4.703 mm
      • 長度
        10.67 mm
      • 寬度
        9.65 mm

      IRL3803VSPBF 數(shù)據(jù)手冊

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        來源
      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

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      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip