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      Infineon

      SPA06N60C3

      N-Channel CoolMOS? Power-Transistor, 600?V VDS, 6.2?A ID, -55 to 150 degC, PG-TO220-3-31, Tube, Green

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      SPA06N60C3 器件參數(shù)

      Function

      • 額定電流
        6.2 A
      • 額定電壓
        650 V
      • 閾值電壓
        3 V
      • 配置
        Single
      • 連續(xù)漏極電流
        6.2 A
      • 輸入偏置電容
        620 pF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電阻
        750 mΩ
      • 漏源電壓
        650 V
      • 漏源極擊穿電壓
        650 V
      • 漏源導通電阻@10V,3.9A
        750 mΩ
      • 漏源導通電阻
        750 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵源極閾值電壓@260uA
        3.9 V
      • 柵極電荷@10V
        31 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時間
        7 ns
      • 功率耗散
        32 W
      • 關(guān)閉延遲時間
        52 ns
      • 下降時間
        10 ns
      • 上升時間
        12 ns

      Physical

      • 引腳數(shù)
        3
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        DIP
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數(shù)量
        500
      • 制造商封裝
        TO-220F-3

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • 無鹵素
        Halogen Free
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      SPA06N60C3 EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      SPA06N60C3 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • Rev. 1.3
        1年前
        Altium Library
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      SPA06N60C3 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip