N溝道場(chǎng)效應(yīng)管HC3400M產(chǎn)品資料
型號(hào):HC3400M
參數(shù)：30V 5.8A
類型：N溝道場(chǎng)效應(yīng)管
內(nèi)阻27mR(Vgs=10V)
低結(jié)電容635pF
封裝：SOT23-3
低開(kāi)啟電壓0.7V
100V大電流系列：2N10、3N10、4N10、5N10、10N10、15N10、17N10、25N0、30N10、35N10、40N10、50N10
SOT23-3封裝、SOT223封裝、SOP8封裝、TO-252封裝、DFN封裝
60V大電流系列：5N06、10N06、20N06、25N06、30N06、35N06、40N06、50N06、60N06、70N06
30V大電流系列：3400、3404、2301、2300、9926、30N03、20N03、50N03、70N03、100N03、110N03
編輯：jq
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
電容
+關(guān)注
關(guān)注
100文章
6525瀏覽量
160087 -
場(chǎng)效應(yīng)管
+關(guān)注
關(guān)注
47文章
1294瀏覽量
71802 -
MOS管
+關(guān)注
關(guān)注
111文章
2813瀏覽量
77848 -
30V
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
5瀏覽量
5873
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
探索 onsemi 2N7002DW N 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
的 2N7002DW N 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，看看它有哪些特性和優(yōu)勢(shì)。 文件下載： 2N7002DW-D.PDF
2N7002KW：小封裝大能量的N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管
（onsemi）推出的N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管——2N7002KW。 文件下載： 2N7002KW-D.PDF 一、
探索BSS123L：高性能N溝道邏輯電平增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管
探索BSS123L：高性能N溝道邏輯電平增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管 作為一名電子工程師，我深知在電路設(shè)計(jì)中，選擇合適的場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)于實(shí)現(xiàn)預(yù)期的性能至關(guān)重要。今天，我將為大家詳細(xì)解讀一款備受關(guān)注的
onsemi FDC653N N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管：低電壓應(yīng)用的理想之選
的 FDC653N N 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，了解它的特性、應(yīng)用場(chǎng)景以及在設(shè)計(jì)中需要考慮的要點(diǎn)。 文件下載： FDC653N-D.pdf
深入解析 onsemi FDT457N N 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
的 FDT457N N 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，看看它有哪些特性和優(yōu)勢(shì)，以及如何在實(shí)際設(shè)計(jì)中應(yīng)用。 文件下載： FDT457N-D.PDF
探索 onsemi FDT439N：高性能 N 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
的 FDT439N，一款 N 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，探討它的特性、應(yīng)用以及設(shè)計(jì)要點(diǎn)。 文件下載： FDT439N-D.PDF
探索 onsemi NDC7002N 雙 N 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，看看它在實(shí)際應(yīng)用中能為我們帶來(lái)哪些優(yōu)勢(shì)。 文件下載： NDC7002N-D.PDF 產(chǎn)品概述 NDC7002N 采
Onsemi N 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2N7000、2N7002、NDS7002A 深度解析
7002、NDS7002A 這三款 N 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管更是其中的佼佼者。下面我們結(jié)合官方數(shù)據(jù)手冊(cè)，深入了解這三款產(chǎn)品。 文件下載： NDS7002A-D.PDF
深入解析NDS331N：N溝道邏輯電平增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
場(chǎng)效應(yīng)晶體管——NDS331N，看看它在實(shí)際應(yīng)用中能為我們帶來(lái)哪些優(yōu)勢(shì)。 文件下載： NDS331N-D.PDF 產(chǎn)品概述 NDS331N是
深入解析NDT014 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
場(chǎng)效應(yīng)晶體管，詳細(xì)分析其特性、參數(shù)及應(yīng)用場(chǎng)景。 文件下載： NDT014-D.pdf 一、產(chǎn)品概述 NDT014是一款采用仙童專有高單元密度DMOS技術(shù)生產(chǎn)的功率SOT N溝道增強(qiáng)型功
N通道場(chǎng)效應(yīng)管15N10 電源應(yīng)用MOS管HC070N10L 100V15A TO-252封裝 原廠直銷 皮實(shí)耐抗
在電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用中，選擇一顆兼具低導(dǎo)通電阻、可靠開(kāi)關(guān)性能與良好耐受能力的MOS管，是保障產(chǎn)品穩(wěn)定性的關(guān)鍵。今天為大家介紹一款HC070N10L N
發(fā)表于 03-28 11:31
微碩WINSOK高性能場(chǎng)效應(yīng)管WSD75100DN56，助力后視鏡折疊器性能升級(jí)
WINSOK高性能N溝道場(chǎng)效應(yīng)管WSD75100DN56以5.3mΩ低RDS(ON)、75V100ADFN5*6-8L封裝，完美契合后視鏡折疊器系統(tǒng)對(duì)高功率密度與散熱效率
N溝道功率MOSFET 美容儀加濕器專用HC3400Y 高性能30V5.7AMOS管
N溝道功率MOSFET 美容儀加濕器專用HC3400Y 高性能30V5.7AMOS管
發(fā)表于 10-31 09:35
FS8205 20V N 溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管技術(shù)手冊(cè)
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FS8205 20V N 溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管技術(shù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 09-23 15:03
?2次下載
貼片MOS場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)如何識(shí)別？
貼片MOS場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)的識(shí)別需結(jié)合命名規(guī)則、封裝特征及參數(shù)查詢?nèi)矫孢M(jìn)行，以下是具體方法： 一、型號(hào)命名規(guī)則解析 貼片MOS管的型號(hào)通常由制造商標(biāo)識(shí)、基本型號(hào)、功能標(biāo)識(shí)、封裝形式及技術(shù)參數(shù)組成，常見(jiàn)
評(píng)論