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      Diodes

      DMMT5551S-7-F

      TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26

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      DMMT5551S-7-F 器件參數(shù)

      Function

      • 頻率
        300 MHz
      • 集電極電流
        200 mA
      • 集電極截止電流
        50 nA
      • 集電極發(fā)射極飽和電壓
        200 mV
      • 集電極-基極電壓
        180 V
      • 集電極-發(fā)射極電壓
        160 V
      • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
        160 V
      • 配置
        Dual
      • 轉(zhuǎn)換頻率
        300 MHz
      • 電流增益 hFE
        80
      • 極性
        NPN
      • 晶體管類(lèi)型
        2個(gè)NPN(雙)配對(duì)
      • 增益帶寬乘積
        300 MHz
      • 發(fā)射極 - 基極電壓
        6 V
      • 功率耗散
        300 mW
      • 擊穿電壓
        160 V
      • 元件數(shù)量
        2

      Physical

      • 重量
        0.001058 oz
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        6
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SOT-26

      Compliance

      • 無(wú)鉛
        無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
      • 合規(guī)
        Standard
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      Dimension

      • 高度
        1.1 mm
      • 長(zhǎng)度
        3 mm
      • 寬度
        1.6 mm

      DMMT5551S-7-F EDA模型

      原理圖符號(hào)
      封裝
      3D模型
      下載zip

      DMMT5551S-7-F 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      • 文檔
        標(biāo)題
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      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • DMMT5551S-7-F
        1年前
        Huaqiu Chip

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