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Texas Instruments (TI)

CSD16415Q5

MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON

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CSD16415Q5 器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    1.5 V
  • 閘/源截止電壓
    1.5 V
  • 配置
    Single
  • 連續(xù)漏極電流
    100 A
  • 輸入偏置電容
    4.1 nF
  • 漏源電阻
    990 mΩ
  • 漏源電壓
    25 V
  • 漏源極擊穿電壓
    25 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    1.15 mΩ
  • 柵源電壓
    16 V
  • 柵極電荷@4.5V
    29 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時(shí)間
    16.6 ns
  • 功率耗散
    3.2 W
  • 關(guān)閉延遲時(shí)間
    20 ns
  • 元件數(shù)量
    1
  • 下降時(shí)間
    12.7 ns
  • 上升時(shí)間
    30 ns

Physical

  • 觸點(diǎn)鍍層
    Tin
  • 端子間距
    1.27 mm
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    8
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    100

Compliance

  • 無鉛
    Contains Lead
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    1.05 mm
  • 長度
    6.1 mm
  • 寬度
    5.1 mm

CSD16415Q5 EDA模型

原理圖符號(hào)
封裝
3D模型
下載zip

CSD16415Q5 數(shù)據(jù)手冊(cè)

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    來源
  • csd16415q5_0
    1年前
    Huaqiu Chip

CSD16415Q5 圖片

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