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ON Semiconductor

FQP33N10

MOSFET N-CH 100V 33A TO220-3

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FQP33N10 器件參數(shù)

Function

  • 額定電流
    33 A
  • 額定電壓
    100 V
  • 閾值電壓
    4 V
  • 閘/源截止電壓
    4 V
  • 配置
    Single
  • 連續(xù)漏極電流
    33 A
  • 輸入偏置電容
    1.5 nF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    52 mΩ
  • 漏源電壓
    100 V
  • 漏源極擊穿電壓
    100 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,16.5A
    52 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    52 mΩ
  • 柵源電壓
    25 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    4 V
  • 柵極電荷@10V
    51 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時(shí)間
    15 ns
  • 導(dǎo)通電阻
    52 mΩ
  • 功率耗散
    127 W
  • 關(guān)閉延遲時(shí)間
    80 ns
  • 元件數(shù)量
    1
  • 下降時(shí)間
    110 ns
  • 上升時(shí)間
    195 ns

Physical

  • 重量
    10 mlb
  • 配置
    Single
  • 觸點(diǎn)鍍層
    Tin
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    3
  • 工作溫度
    -55 °C, 175 °C
  • 安裝方式
    Through Hole
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 包裝數(shù)量
    50
  • 制造商封裝
    TO-220

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • RoHS
    Yes
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    9.4 mm
  • 長(zhǎng)度
    10.67 mm
  • 寬度
    4.83 mm

FQP33N10 EDA模型

原理圖符號(hào)
封裝
3D模型
下載zip

FQP33N10 數(shù)據(jù)手冊(cè)

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  • 1年前
    Huaqiu Chip
  • 1年前
    Huaqiu Chip

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