BSB017N03LX3 G替代型號(hào)PC003NG-E，30V150A 33mΩ
BSB017N03LX3 G替代型號(hào)PC003NG-E，30V150A 33mΩ
型號(hào)：PC003NG-E
電壓電流：30V150A
內(nèi)阻：33mΩ
封裝：TO-220
Description：
This N-Channel MOSFET uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge.It can be used in a wide variety of applications.
Features：
1) VDS=30V,ID=150A,RDS(ON)<3mΩ @VGS=10V
2) Low gate charge.
3) Green device available.
4) Advanced high cell denity trench technology for ultra low RDS(ON).
5) Excellent package for good heat dissipation.
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