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      Rohm

      SCT2120AFC

      MOSFET, N CHANNEL, 650V, 29A, TO-220AB; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 29A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.12ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 18V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 165W; Transistor Case Style: TO-220AB; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

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      • 器件參數(shù)
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      SCT2120AFC 器件參數(shù)

      Function

      • 閾值電壓
        4 V
      • 配置
        Single
      • 通道數(shù)量
        1
      • 連續(xù)漏極電流
        29 A
      • 輸入偏置電容
        1.2 nF
      • 漏源電阻
        120 mΩ
      • 漏源電壓
        650 V
      • 漏源極擊穿電壓
        650 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        156 mΩ
      • 柵源電壓
        22 V
      • 柵極電荷@18V
        61 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時(shí)間
        22 ns
      • 功率耗散
        165 W
      • 關(guān)閉延遲時(shí)間
        60 ns
      • 下降時(shí)間
        19 ns
      • 上升時(shí)間
        31 ns

      Physical

      • 重量
        0.211644 oz
      • 引腳數(shù)
        3
      • 工作溫度
        -55 °C, 175 °C
      • 安裝方式
        DIP
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 制造商封裝
        TO-220-3

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      SCT2120AFC 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來源
      • 1年前
        Farnell
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      SCT2120AFC 圖片

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        Farnell

      • Huaqiu Chip

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