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      WILLSEMI

      WPT2F30-6/TR

      晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):30V;集電極電流(Ic):3A;功率(Pd):1.2W;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):280mV@800mA,10mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):200@1A,2V;特征頻率(fT):-;工作溫度:+150℃@(Tj);

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      WPT2F30-6/TR 器件參數(shù)

      Function

      • 集電極電流
        3 A
      • 集電極截止電流
        100 nA
      • 集電極發(fā)射極飽和電壓@800mA,10mA
        280 mV
      • 電流增益 hFE@1A,2V
        200
      • 晶體管類型
        PNP
      • 功率耗散
        1.2 W

      Physical

      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 制造商封裝
        SOT-23-6

      WPT2F30-6/TR 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來源
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      WPT2F30-6/TR 圖片