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      Infineon

      IRF7476TRPBF

      類(lèi)型:N溝道;漏源電壓(Vdss):12V;連續(xù)漏極電流(Id):15A;功率(Pd):2.5W;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@4.5V,15A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):1.9V@250uA;

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      IRF7476TRPBF 器件參數(shù)

      Function

      • 配置
        Single
      • 連續(xù)漏極電流
        15 A
      • 輸入偏置電容
        2.55 nF
      • 類(lèi)型
        N溝道
      • 漏源電阻
        8 mΩ
      • 漏源電壓
        12 V
      • 漏源極擊穿電壓
        12 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@4.5V,15A
        8 mΩ
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        8 mΩ
      • 柵源電壓
        12 V
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        1.9 V
      • 柵極電荷@4.5V
        40 nC
      • 晶體管類(lèi)型
        N溝道
      • 接通延遲時(shí)間
        11 ns
      • 反向傳輸電容
        450 pF
      • 功率耗散
        2.5 W
      • 擊穿電壓
        12 V
      • 關(guān)閉延遲時(shí)間
        19 ns
      • 元件數(shù)量
        1
      • 下降時(shí)間
        8.3 ns
      • 上升時(shí)間
        29 ns

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        8
      • 工作溫度
        -55 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SO-8

      Compliance

      • 無(wú)鉛
        Yes
      • RoHS
        yes

      Dimension

      • 高度
        1.5 mm
      • 長(zhǎng)度
        5 mm
      • 寬度
        4 mm

      IRF7476TRPBF 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來(lái)源
      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • IRF7476PbF_Infineon.pdf
        1年前
        Huaqiu Chip

      IRF7476TRPBF 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip