IRFH7085TRPBF N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V，Infineon
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IRFH7085TRPBF產(chǎn)品詳細(xì)信息
N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V，Infineon
Infineon 系列分離式 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道設(shè)備，采用表面安裝和引線封裝。 形狀系數(shù)可解決大多數(shù)板布局和熱設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)問題。 在整個范圍內(nèi)，基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗，讓設(shè)計(jì)人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。
MOSFET 晶體管，Infineon
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。
產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 147 A |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | PQFN |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 3.2 mΩ |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 最大柵閾值電壓 | 3.7V |
| 最小柵閾值電壓 | 2.1V |
| 最大功率耗散 | 156 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 典型柵極電荷@Vgs | 110 nC @ 10 V |
| 長度 | 6.15mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 正向二極管電壓 | 1.2V |
| 最低工作溫度 | -55 °C |
| 系列 | HEXFET |
| 寬度 | 5.15mm |
| 晶體管材料 | Si |
| 高度 | 0.85mm |
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