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      Efficient Power Conversion (EPC)

      EPC2102

      GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG

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      EPC2102 器件參數(shù)

      Function

      • 閾值電壓
        2.5 V
      • 連續(xù)漏極電流
        23 A
      • 輸入偏置電容@30V
        830 pF
      • 類型
        2個N溝道(半橋)
      • 漏源電壓
        60 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@20A,5V
        4.4 mΩ
      • 柵源極閾值電壓@7mA
        2.5 V
      • 柵極電荷@5V
        6.8 nC
      • 晶體管類型
        2個N溝道(半橋)
      • FET功能
        GaNFET (Gallium Nitride)

      Physical

      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -40 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        SMT
      • 制造商封裝
        Die

      EPC2102 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來源
      • EPC2102_datasheet.pdf
        1年前
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      EPC2102 圖片

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