EPC公司推出全新開發(fā)板EPC9083 - 面向無(wú)線充電及激光雷達(dá)應(yīng)用、采用200 V eGaN?FET、60 W E 類放大器拓?fù)?，可以在高達(dá)15 MHz 頻率下高效地工作。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）的全新 EPC9083 開發(fā)板可以幫助功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)師容易并且快速地對(duì)E類放大器內(nèi)、可在高達(dá)15 MHz 頻率工作的200 V氮化鎵晶體管進(jìn)行評(píng)估，應(yīng)用包括無(wú)線充電、激光雷達(dá)、電流模式D類放大器及推挽式轉(zhuǎn)換器。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）宣布推出高效、靈活及采用氮化鎵晶體管的差分模式開發(fā)板（EPC9083），可以在高達(dá)15 MHz 頻率工作，包括無(wú)線充電應(yīng)用普遍使用的6.78 MHz頻率。 推出開發(fā)板的目的是幫助功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)師以簡(jiǎn)易方法對(duì)氮化鎵晶體管的優(yōu)越性能進(jìn)行評(píng)估，使得他們的產(chǎn)品可以快速量產(chǎn)。

這些開發(fā)板專為采用E類放大器拓?fù)涞膽?yīng)用而設(shè)，例如無(wú)線充電應(yīng)用，而且也可以支持采用低側(cè)開關(guān)的其它應(yīng)用，例如但不限于推挽式轉(zhuǎn)換器、電流模式D類放大器、共源雙向開關(guān)及諸如激光雷達(dá)（LiDAR）的各種高壓短脈寬應(yīng)用。

EPC9083開發(fā)板內(nèi)含200 V、25 mΩ eGaN FET（EPC2046）- 它比前代的 eGaN FET 具備更低的開關(guān)損耗、更小型化而同時(shí)具有相同的漏極-源極阻抗。這些放大器被預(yù)設(shè)為工作在差分模式，也可以再配置為工作在單端模式，并包含柵極驅(qū)動(dòng)器及邏輯電源穩(wěn)壓器。

隨開發(fā)板一起提供的還有一份供用戶參考和易于使用的速查指南，內(nèi)載有詳細(xì)資料包括設(shè)置步驟、電路圖框及材料清單，詳情請(qǐng)瀏覽http://epc-co.com/epc/Products/DemoBoards.aspx。

價(jià)格及供貨詳情

EPC9083開發(fā)板的單價(jià)為158.13美元，可立即從Digikey公司 及世強(qiáng)元件電商購(gòu)買。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司簡(jiǎn)介

宜普電源轉(zhuǎn)換公司是基于增強(qiáng)型氮化鎵的功率管理器件的領(lǐng)先供應(yīng)商，為首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增強(qiáng)型氮化鎵（eGaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其目標(biāo)應(yīng)用包括 直流-直流轉(zhuǎn)換器、無(wú)線電源傳送、包絡(luò)跟蹤、射頻傳送、功率逆變器、三維成像及激光雷達(dá)（LiDAR）及D類音頻放大器等應(yīng)用，器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。此外，宜普公司正在擴(kuò)大基于eGaN IC的產(chǎn)品系列，為客戶提供進(jìn)一步節(jié)省占板面積、節(jié)能及節(jié)省成本的解決方案。