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      STMicroelectronics

      STU10N60M2

      MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK

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      STU10N60M2 器件參數(shù)

      Function

      • 配置
        Single
      • 通道數(shù)量
        1
      • 連續(xù)漏極電流
        7.5 A
      • 輸入偏置電容
        400 pF
      • 漏源電阻
        560 mΩ
      • 漏源電壓
        600 V
      • 漏源極擊穿電壓
        600 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        600 mΩ
      • 柵源電壓
        25 V
      • 柵極電荷
        13.5 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時間
        8.8 ns
      • 功率耗散
        85 W
      • 關(guān)閉延遲時間
        32.5 ns
      • 下降時間
        13.2 ns
      • 上升時間
        8 ns

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        3
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Through Hole
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數(shù)量
        75
      • 制造商封裝
        TO-251-3

      Compliance

      • 無鉛
        無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

      Dimension

      • 高度
        6.2 mm
      • 長度
        6.6 mm
      • 寬度
        2.4 mm

      STU10N60M2 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來源
      • STU10N60M2
        1年前
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