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Vishay

SUM110P08-11L-E3

MOSFET P-CH 80V 110A TO263

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SUM110P08-11L-E3 器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    -3 V
  • 閘/源截止電壓
    -3 V
  • 配置
    Single
  • 通道數(shù)量
    1
  • 連續(xù)漏極電流
    23.5 A
  • 輸入偏置電容
    10.85 nF
  • 漏源電阻
    11.2 mΩ
  • 漏源電壓
    80 V
  • 漏源極擊穿電壓
    -80 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    11.2 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵極電荷@10V
    270 nC
  • 晶體管類型
    P溝道
  • 接通延遲時間
    20 ns
  • 功率耗散
    13.6 W
  • 關(guān)閉延遲時間
    135 ns
  • 元件數(shù)量
    1
  • 下降時間
    550 ns
  • 上升時間
    330 ns

Physical

  • 重量
    0.050717 oz
  • 觸點鍍層
    Tin
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    3
  • 工作溫度
    175 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 包裝數(shù)量
    800
  • 制造商封裝
    TO-263-2

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    4.83 mm
  • 長度
    10.41 mm
  • 寬度
    9.65 mm

SUM110P08-11L-E3 EDA模型

原理圖符號
封裝
3D模型
下載zip

SUM110P08-11L-E3 數(shù)據(jù)手冊

  • 文檔
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    上傳于
    來源
  • 1年前
    Huaqiu Chip
  • SUM110P08-11L-E3
    1年前
    Huaqiu Chip

SUM110P08-11L-E3 圖片

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