MT29F2G08ABAEAWP:E 供應(yīng)商MT29F2G08ABAEAWP:E 怎么訂貨 MT29F2G08ABAEAWP:E價(jià)格
IR msc普級(jí)，JAN軍級(jí)，JANTX特軍級(jí)，JANTXV超特軍級(jí)，JANS宇航級(jí) 二三極管，大量現(xiàn)貨，只做正品原裝

SLC NAND Flash 并行 3.3V 2Gbit 256M x 8bit 48-Pin TSOP-I Tray

MT29F2G08ABAEAWP:E美光 NAND 閃存設(shè)備包括用于高性能 I/O 操作的異步數(shù)據(jù)接口。這些設(shè)備使用高度復(fù)用的 8 位總線 (I/Ox) 來(lái)傳輸命令、地址和數(shù)據(jù)。有五個(gè)控制信號(hào)用于實(shí)現(xiàn)異步數(shù)據(jù)接口：CE#、CLE、ALE、WE# 和 RE#。附加信號(hào)控制硬件寫保護(hù)和監(jiān)視設(shè)備狀態(tài) (R/B#)。該硬件接口創(chuàng)建了一個(gè)低引腳數(shù)設(shè)備，其標(biāo)準(zhǔn)引腳排列從一種密度到另一種密度保持不變，使未來(lái)無(wú)需重新設(shè)計(jì)電路板即可升級(jí)到更高密度。目標(biāo)是芯片使能信號(hào)訪問的內(nèi)存單元。一個(gè)目標(biāo)包含一個(gè)或多個(gè) NAND 閃存芯片。一個(gè)NAND Flash die是可以獨(dú)立執(zhí)行命令和報(bào)告狀態(tài)的最小單元。一個(gè) NAND 閃存芯片，在 ONFI 規(guī)范中，稱為邏輯單元 (LUN)。每個(gè)芯片使能信號(hào)至少有一個(gè) NAND 閃存芯片。有關(guān)更多詳細(xì)信息，請(qǐng)參閱設(shè)備和陣列組織。該設(shè)備有一個(gè)內(nèi)部 4 位 ECC，可以使用 GET/SET 功能或由工廠啟用（始終啟用）。
MT29F2G08ABAEAWP:E 主要特點(diǎn)

開放 NAND 閃存接口 (ONFI) 1.0 兼容
單層單元 (SLC) 技術(shù)
組織
頁(yè)大小 x8：2112 字節(jié)（2048 + 64 字節(jié)）
頁(yè)面大小 x16：1056 字（1024 + 32 字）
塊大?。?4 頁(yè)（128K + 4K 字節(jié)）
平面大?。? 個(gè)平面 x 每個(gè)平面 1024 塊
設(shè)備大?。?Gb：2048 個(gè)塊
異步 I/O 性能
tRC/tWC：20ns (3.3V)、25ns (1.8V)
陣列性能
讀取頁(yè)面：25μs 3
程序頁(yè)面：200μs (TYP: 1.8V, 3.3V)3
擦除塊：700μs（典型值）
命令集：ONFI NAND Flash 協(xié)議
高級(jí)命令集
程序頁(yè)緩存模式4
讀取頁(yè)面緩存模式4
一次性可編程 (OTP) 模式
兩平面指令4
交錯(cuò)裸片 (LUN) 操作
讀取唯一 ID
塊鎖（僅限 1.8V）
內(nèi)部數(shù)據(jù)移動(dòng)
操作狀態(tài)字節(jié)提供軟件檢測(cè)方法
操作完成
通過(guò)/失敗條件
寫保護(hù)狀態(tài)
Ready/Busy# (R/B#) 信號(hào)提供了一種檢測(cè)操作完成的硬件方法
WP# 信號(hào)：寫保護(hù)整個(gè)設(shè)備
第一個(gè)塊（塊地址 00h）在帶有 ECC 的工廠發(fā)貨時(shí)有效。有關(guān)所需的最低 ECC，請(qǐng)參閱錯(cuò)誤管理。
如果 PROGRAM/ERASE 周期小于 1000，則塊 0 需要 1 位 ECC
上電后需要 RESET (FFh) 作為第一個(gè)命令
上電后設(shè)備初始化的替代方法（Nand_Init）（聯(lián)系工廠）
在讀取數(shù)據(jù)的平面內(nèi)支持內(nèi)部數(shù)據(jù)移動(dòng)操作
質(zhì)量和可靠性
數(shù)據(jù)保留：10年
工作電壓范圍
VCC：2.7-3.6V
VCC：1.7–1.95V
工作溫度：
商用：0°C 至 +70°C
工業(yè) (IT)：–40oC 至 +85oC
包裹
48 針 TSOP 類型 1，CPL2
63-ball VFBGA