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      Vishay

      SI4562DY-T1-E3

      Mosfet Array 20V 2W Surface Mount 8-SOIC

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      SI4562DY-T1-E3 器件參數(shù)

      Function

      • 閾值電壓
        600 mV
      • 閘/源截止電壓
        600 mV
      • 通道數(shù)量
        2
      • 連續(xù)漏極電流
        7.1 A
      • 漏源電阻
        27 mΩ
      • 漏源電壓
        20 V
      • 漏源極擊穿電壓
        20 V
      • 漏源導通電阻
        25 mΩ
      • 柵源電壓
        12 V
      • 柵極電荷@4.5V
        50 nC
      • 晶體管類型
        N溝道和P溝道互補型
      • 接通延遲時間
        27 ns
      • 功率耗散
        2 W
      • 關閉延遲時間
        95 ns
      • 元件數(shù)量
        2
      • 下降時間
        45 ns
      • 上升時間
        32 ns
      • FET功能
        邏輯電平門

      Physical

      • 重量
        0.006596 oz
      • 端子間距
        1.27 mm
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        8
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SOIC

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • REACH SHVC Compliant
        Unknown

      Dimension

      • 高度
        1.55 mm
      • 長度
        5 mm
      • 寬度
        4 mm

      SI4562DY-T1-E3 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • 1年前
        Digikey
      • SI4562DY-T1-E3
        1年前
        Huaqiu Chip

      SI4562DY-T1-E3 圖片