探索InGaP HBT 1 Watt高IP3放大器:HMC461LP3/LP3E的卓越性能與應(yīng)用 在當(dāng)今的無(wú)線通信領(lǐng)域,高性能放大器的需求日益增長(zhǎng)。特別是在多載波系統(tǒng)、GSM、GPRS、EDGE
2026-01-04 09:45:27
211 InGaP HBT 半瓦高 IP3 放大器 HMC455LP3/455LP3E 深度解析 在當(dāng)今的無(wú)線通信領(lǐng)域,對(duì)于高性能放大器的需求與日俱增。特別是在多載波系統(tǒng)、GSM、GPRS、EDGE
2026-01-04 09:45:20
209 Devices的HMC408LP3 / 408LP3E GaAs InGaP HBT MMIC 1 WATT功率放大器,從其典型應(yīng)用、特性參數(shù)到引腳說(shuō)明及應(yīng)用電路等方面進(jìn)行詳細(xì)分析。 文件下載
2025-12-31 16:15:22
101 深入剖析HMC311LP3/LP3E:DC - 6 GHz增益模塊MMIC放大器 在電子工程領(lǐng)域,放大器的性能和適用性對(duì)于各類射頻系統(tǒng)至關(guān)重要。今天我們要探討的HMC311LP3/LP3E,是一款由
2025-12-31 14:10:02
112 探索 HMC311ALP3E 增益模塊 MMIC 放大器:特性、應(yīng)用與設(shè)計(jì)要點(diǎn) 在電子工程的廣闊領(lǐng)域中,放大器作為核心組件之一,其性能的優(yōu)劣直接影響到整個(gè)系統(tǒng)的表現(xiàn)。今天,我們將聚焦于
2025-12-31 14:00:09
81 深度剖析RA2E3微控制器:特性、電氣參數(shù)與應(yīng)用考量 在當(dāng)今電子設(shè)備小型化、低功耗化的趨勢(shì)下,微控制器的性能和特性愈發(fā)關(guān)鍵。RA2E3作為一款具有代表性的微控制器,憑借其低功耗、高性能等優(yōu)勢(shì),在眾多
2025-12-29 11:00:09
107 深入了解一下德州儀器(TI)的TS3DV520E,一款專為DVI/HDMI應(yīng)用設(shè)計(jì)的5通道差分10:20多路復(fù)用開關(guān)。 文件下載: ts3dv520e.pdf 1. 產(chǎn)品概述 TS3DV520E是一款
2025-12-27 11:10:06
549 RZ/G3E 芯片:功能、特性與設(shè)計(jì)要點(diǎn)深度解析 在當(dāng)今科技飛速發(fā)展的時(shí)代,芯片作為電子設(shè)備的核心,其性能和功能直接影響著產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力。RZ/G3E 芯片以其卓越的性能和豐富的功能,在眾多應(yīng)用領(lǐng)域
2025-12-26 16:20:02
105 日益增長(zhǎng)。今天,我們就來(lái)深入了解一款專為高速USB 2.0信號(hào)切換設(shè)計(jì)的開關(guān)——德州儀器(TI)的TS3USB30E。 文件下載: ts3usb30e.pdf 一、特性亮點(diǎn) 1. 電源電壓與兼容性
2025-12-25 11:15:05
235 。 文件下載: ts3usb31e.pdf 一、TS3USB31E概述 TS3USB31E是一款1:1 SPST高帶寬開關(guān),它被精心設(shè)計(jì)用于手機(jī)和消費(fèi)類應(yīng)用中高速USB 2.0信號(hào)的切換。像手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)
2025-12-24 18:15:02
1064 探索NXP P3T1035xUK/P3T2030xUK數(shù)字溫度傳感器:精準(zhǔn)、靈活與高效的完美融合 在當(dāng)今的電子設(shè)備設(shè)計(jì)中,精確的溫度監(jiān)測(cè)至關(guān)重要,它直接影響著設(shè)備的性能、穩(wěn)定性和可靠性。NXP推出
2025-12-24 15:50:16
151 Amphenol Cool Express Link? EDSFF E3 2C PCIe? Gen 5/6 電纜連接器:高性能存儲(chǔ)連接的新選擇 在當(dāng)今的人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)等高性能計(jì)算領(lǐng)域,對(duì)于存儲(chǔ)
2025-12-11 10:40:02
280 11月25日,在中國(guó)汽車工業(yè)協(xié)會(huì)主辦的“2025中國(guó)汽車供應(yīng)鏈大會(huì)”上,芯馳科技X9系列智能座艙芯片與E3系列高端車控芯片雙雙榮獲“2025中國(guó)汽車芯片創(chuàng)新成果”大獎(jiǎng)。芯馳以前瞻的車芯產(chǎn)品設(shè)計(jì)與領(lǐng)先的量產(chǎn)成果獲得行業(yè)認(rèn)可,成為唯一一家計(jì)算類與控制類芯片同時(shí)獲獎(jiǎng)的供應(yīng)鏈企業(yè)。
2025-12-03 11:50:55
538 Vishay / Dale RCS e3防浪涌大功率厚膜片式電阻器套件提供 RCS0402和RCS0603電阻器的146個(gè)電阻值,具有出色的浪涌脈沖能力和出色的ESD浪涌特性。帶有透明分頻器/頁(yè)面
2025-11-17 10:22:37
386 Vishay BC Components NTCLE100E3徑向引線標(biāo)準(zhǔn)精密和NTCLE 203E3徑向引線精密線路NTC熱敏電阻符合RoHS指令。該熱敏電阻在寬溫度范圍內(nèi)具有高精度,在整個(gè)
2025-11-13 16:19:30
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ASTM B 809標(biāo)準(zhǔn)。TNPR e3電阻器的容差為 ±0.5%和 ±1%,工作溫度范圍為-55°C至+155°C。Vishay TNPR e3 20GHz薄膜片式電阻器適合用于降低寄生阻抗和最高可靠性和穩(wěn)定性至關(guān)重要的射頻電路,包括醫(yī)療設(shè)備、工業(yè)以及測(cè)試和測(cè)量設(shè)備。
2025-11-12 14:57:09
340 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 芯馳科技前不久在官微宣布,其E3系列MCU旗艦產(chǎn)品E3650已正式進(jìn)入規(guī)?;慨a(chǎn),完成AEC-Q100 Grade 1可靠性認(rèn)證,將面向客戶接受量產(chǎn)訂單。據(jù)介紹,目前,E3系列
2025-11-12 08:20:00
8737 
Vishay 汽車0201厚膜片式電阻是e3標(biāo)準(zhǔn)厚膜電阻器,符合汽車環(huán)境AEC-Q200要求。規(guī)格包括0201尺寸、10Ω 至1MΩ 電阻范圍、0.05W額定耗散功率、30V工作電壓額定值以及-55°至+155°的工作溫度范圍。Vishay汽車0201厚膜片式電阻適用于汽車、電信和工業(yè)應(yīng)用。
2025-11-09 17:32:45
982 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()0.7 – 2.7 GHz DPx3T 交換機(jī)相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有0.7 – 2.7 GHz DPx3T 交換機(jī)的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料,0.7
2025-10-29 18:31:55

本文概述了ADI T1/E1/J1收發(fā)器的環(huán)回功能。T1和E1是術(shù)語(yǔ),用來(lái)描述通過(guò)任意介質(zhì)進(jìn)行的1.544Mbps和2.048Mbps傳輸。環(huán)回模式有助于器件或設(shè)備的診斷測(cè)試。在環(huán)回模式下,收發(fā)器將
2025-10-22 09:30:17
2591 
由于e203內(nèi)部DTCM空間較小,所以本隊(duì)針對(duì)DDR200T開發(fā)板進(jìn)行針對(duì)e203的DDR3存儲(chǔ)器擴(kuò)展。
論壇中所給出的e203擴(kuò)展DDR的方法大致分為兩種,一種是直接將DDR存儲(chǔ)器的接口使用ICB
2025-10-21 12:43:40
”|IOSTANDARD = SSTL15;
NET “ddr3_dqs_p[0]”LOC = “E1”|IOSTANDARD = DIFF_SSTL15;
NET “ddr3_dqs_n[0]”LOC
2025-10-21 11:19:08
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()1.0 - 6.0 GHz SP3T 開關(guān),50 Ω端接相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有1.0 - 6.0 GHz SP3T 開關(guān),50 Ω端接的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文
2025-10-16 18:34:54

南柯電子|車載電器EMC整改:T1到T3供應(yīng)商,智能化解決方案助你
2025-09-18 09:57:40
452 ### 1. **STS14N3LLH5-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介****STS14N3LLH5-VB** 是一款 **單極-N型MOSFET**,采用 **SOP8封裝**,專為低電壓、高效能應(yīng)用設(shè)計(jì)。該
2025-09-08 17:10:11
### **SI9804DY-T1-E3-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介**SI9804DY-T1-E3-VB 是一款單 N 通道 MOSFET,采用 Trench 技術(shù),封裝為 SOP8。該產(chǎn)品
2025-09-06 17:09:20
### 1. **產(chǎn)品簡(jiǎn)介(SI9436DY-T1-E3-VB)****SI9436DY-T1-E3-VB** 是一款高效能單 N-Channel 功率 MOSFET,采用 SOP8 封裝,專為需要
2025-09-06 17:04:51
### SI4888DY-T1-E3-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介SI4888DY-T1-E3-VB 是一款高效能的單通道 N 型 MOSFET,采用 SOP8 封裝,并利用先進(jìn)的 Trench
2025-09-06 16:34:11
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介(SI4884DY-T1-E3)SI4884DY-T1-E3 是一款由Vishay公司生產(chǎn)的單N通道MOSFET,采用SOP8封裝,專為高效功率開關(guān)和低電壓控制應(yīng)用設(shè)計(jì)。它具有較低
2025-09-06 16:32:14
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:SI4880EY-T1-E3SI4880EY-T1-E3 是一款基于 Trench 技術(shù)的單 N 型 MOSFET,采用 SOP8 封裝。該器件具有最大漏極源極電壓 (V_DS
2025-09-06 16:22:47
### **SI4880DY-T1-E3-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介****型號(hào)**:SI4880DY-T1-E3-VB **封裝類型**:SOP8 **配置**:?jiǎn)蜰型
2025-09-06 16:19:25
### SI4872DY-T1-E3-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介SI4872DY-T1-E3-VB 是一款高效單極N溝道MOSFET,采用SOP8封裝,專為低電壓、高效率的開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。該
2025-09-06 16:11:40
### SI4832DY-T1-E3-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介SI4832DY-T1-E3-VB 是一款高效的單 N 通道 MOSFET,采用 SOP8 封裝,專為低功耗應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件具有
2025-09-06 16:08:03
### SI4832BDY-T1-E3-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介SI4832BDY-T1-E3-VB 是一款 **N通道** MOSFET,采用 **SOP8** 封裝,采用 **Trench
2025-09-06 16:03:19
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:SI4822DY-T1-E3-VBSI4822DY-T1-E3-VB 是一款高性能單N通道MOSFET,采用SOP8封裝,具有低導(dǎo)通電阻和優(yōu)異的開關(guān)性能,專為高效能電源管理應(yīng)用而設(shè)
2025-09-06 16:01:07
### SI4820DY-T1-E3-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介SI4820DY-T1-E3-VB 是一款單 N 通道 MOSFET,封裝為 SOP8,專為低功耗應(yīng)用設(shè)計(jì)。它具備 30V 的漏源
2025-09-06 15:56:36
### SI4816DY-T1-E3-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介SI4816DY-T1-E3-VB 是一款 **N通道** MOSFET,采用 **SOP8** 封裝,利用 **Trench
2025-09-06 15:53:26
### **Si4812DY-T1-E3-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介**Si4812DY-T1-E3-VB 是一款采用 **SOP8 封裝** 的 **單 N 溝道 MOSFET**,專為需要低導(dǎo)
2025-09-06 15:48:41
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:SI4810BDY-T1-E3-VBSI4810BDY-T1-E3-VB 是一款高效能單N通道MOSFET,采用SOP8封裝,具備低導(dǎo)通電阻和出色的開關(guān)性能。它采用Trench技術(shù)
2025-09-06 15:38:01
**產(chǎn)品簡(jiǎn)介:** SI4802DY-T1-E3-VB是一款高效的N溝道MOSFET,采用SOP8封裝,專為低電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。該MOSFET具有最大30V的漏極-源極電壓(VDS
2025-09-06 15:35:04
### SI4778DY-T1-E3-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介**SI4778DY-T1-E3-VB** 是一款高性能、低導(dǎo)通電阻的單N型通道MOSFET,封裝采用SOP8。該MOSFET的漏極
2025-09-06 15:29:18
### **產(chǎn)品簡(jiǎn)介**SI4736DY-T1-E3-VB 是一款單 N 型 MOSFET,采用 SOP8 封裝,具備 30V 的最大漏源電壓(VDS)和高達(dá) 13A 的最大漏極電流(ID)。該
2025-09-06 15:20:28
### **SI4426DY-T1-E3-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介**SI4426DY-T1-E3 是一款采用SOP8封裝的單極N溝道MOSFET,具有30V的漏源電壓(VDS)和高達(dá)13A
2025-09-06 14:31:01
### SI4420DY-T1-E3-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介SI4420DY-T1-E3-VB 是一款采用 SOP8 封裝的單極性 N 型 MOSFET,具有優(yōu)異的性能和高效的能量轉(zhuǎn)換特性。它
2025-09-06 14:19:22
### SI4416DY-T1-E3-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介**SI4416DY-T1-E3-VB** 是一款 **N-Channel MOSFET**,采用 **SOP8** 封裝,適用于
2025-09-06 13:55:10
### 1. **產(chǎn)品簡(jiǎn)介:SI4392ADY-T1-E3-VB MOSFET**SI4392ADY-T1-E3-VB是一款單N通道MOSFET,采用SOP8封裝,專為低電壓、大電流功率開關(guān)應(yīng)用而設(shè)
2025-09-06 11:36:09
### 1. 產(chǎn)品簡(jiǎn)介(SI4390DY-T1-E3-VB)**SI4390DY-T1-E3-VB** 是一款高效能單N通道功率MOSFET,采用**SOP8封裝**,專為中電壓、高電流
2025-09-06 11:33:51
### SI4384DY-T1-E3-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介**SI4384DY-T1-E3-VB** 是一款采用SOP8封裝的單N通道MOSFET,設(shè)計(jì)用于高效能的電源管理和電流開關(guān)應(yīng)用。其最大漏源電壓
2025-09-06 11:23:04
### SI4356DY-T1-E3-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介**SI4356DY-T1-E3-VB** 是一款高效能 **單 N-溝道 MOSFET**,采用 **SOP8** 封裝,設(shè)計(jì)用于電力轉(zhuǎn)換和高
2025-09-06 11:19:38
### 1. 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:SI4334DY-T1-E3SI4334DY-T1-E3 是一款基于 Trench 技術(shù)的單 N 型 MOSFET,采用 SOP8 封裝,專為高效能、低功耗電流開關(guān)和電源管理
2025-09-06 11:09:06
### SI4128DY-T1-E3-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介**SI4128DY-T1-E3-VB** 是一款單 N-Channel MOSFET,采用 **SOP8** 封裝,具有
2025-09-06 11:06:02
### SI4004DY-T1-E3 產(chǎn)品簡(jiǎn)介**SI4004DY-T1-E3** 是一款單N通道MOSFET,封裝為SOP8,采用先進(jìn)的Trench技術(shù)設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓(V_DS)為30V
2025-09-06 11:00:59
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()0.02 – 6.0 GHz pHEMT GaAs SP3T 開關(guān)相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有0.02 – 6.0 GHz pHEMT GaAs SP3T 開關(guān)的引腳圖
2025-08-07 18:33:58

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()0.1-3.5 GHz SP3T 開關(guān)相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有0.1-3.5 GHz SP3T 開關(guān)的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料,0.1-3.5 GHz SP3T 開關(guān)真值表,0.1-3.5 GHz SP3T 開關(guān)管腳等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-08-07 18:33:24

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()0.1 至 8.0 GHz SP3T 開關(guān)相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有0.1 至 8.0 GHz SP3T 開關(guān)的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料,0.1 至
2025-08-07 18:31:52

電網(wǎng)供電→ STS閉合電網(wǎng)側(cè)SCR → 負(fù)載由電網(wǎng)+儲(chǔ)能PCS共同供電。
2025-08-06 11:14:33
3591 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()0.1 至 3.0 GHz SP3T 開關(guān)相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有0.1 至 3.0 GHz SP3T 開關(guān)的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料,0.1 至
2025-08-04 18:34:07

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()0.1 至 6.0 GHz SP3T 開關(guān)相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有0.1 至 6.0 GHz SP3T 開關(guān)的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料,0.1 至
2025-08-04 18:30:35

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()2.4 至 2.5 GHz SP3T 開關(guān)相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有2.4 至 2.5 GHz SP3T 開關(guān)的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料,2.4 至
2025-08-01 18:36:31

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()0.4 至 3.8 GHz SP3T 開關(guān)相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有0.4 至 3.8 GHz SP3T 開關(guān)的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料,0.4 至
2025-08-01 18:35:20

Xgig E3 EDSFF 16通道內(nèi)插器(即適用于 PCI Express? 5.0 的 VIAVI解決方案 Xgig5P-PCIe5-X16-E3 內(nèi)插器)是VIAVI推出的一款致力于 PCI
2025-08-01 09:07:46
隨著“中央+區(qū)域”架構(gòu)的演進(jìn),10BASE-T1S憑借其獨(dú)特優(yōu)勢(shì),將成為驅(qū)動(dòng)下一代汽車電子電氣(E/E)架構(gòu)“神經(jīng)系統(tǒng)”進(jìn)化的關(guān)鍵技術(shù)。
2025-07-08 18:17:39
797 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《M280DCA-E3B規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-06-03 18:01:06
0 DS28E16安全認(rèn)證器集FIPS202兼容安全散列算法(SHA-3)質(zhì)詢和響應(yīng)認(rèn)證與安全EEPROM于一身。
器件提供一組核心加密工具,包括SHA-3引擎、256位安全EEPROM、遞減
2025-05-13 15:18:55
864 
您能否消除 EZ-USB FX3 SDK1.3firmwarefx3_sdk_1_3_4_srcsdkfirmwaresrcdmacyu3socket.c 中 CyBool_t
2025-05-13 07:26:01
HMC468ALP3E是一款寬帶3位GaAs IC數(shù)字衰減器,采用低成本無(wú)引腳表面貼裝封裝。 在DC到6.0 GHz頻率下工作,插入損耗低于1 dB典型值,最高達(dá)到4 GHz。 衰減器位值為1
2025-04-24 15:29:18
708 
HMC1044LP
3E是一款針對(duì)所有采用正交調(diào)制器和/或解調(diào)器應(yīng)用的可編程帶寬LPF(低通濾波器)。 HMC1044LP
3E可濾除LO諧波,從而確保LO對(duì)調(diào)制器邊帶抑制或解調(diào)器鏡像抑制性能的貢獻(xiàn)非常小或?yàn)榱恪?/div>
2025-04-23 10:48:44
836 
。AD800-45和AD800-52分別支持45 Mbps DS-3和52 Mbps STS-1。AD802-155支持155 Mbps STS-3或STM-1。
2025-04-15 14:03:14
877 
HMC631LP3和HMC631LP3E均為高動(dòng)態(tài)范圍矢量調(diào)制器RFIC,可用于RF預(yù)失真和前饋消除電路以及RF消除、波束成形和幅度/相位校正電路。 HMC631LP3(E)的I和Q端口可用來(lái)連續(xù)
2025-04-09 11:22:37
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HMC630LP3和HMC630LP3E均為高動(dòng)態(tài)范圍矢量調(diào)制器RFIC,可用于RF預(yù)失真和前饋消除電路以及RF波束成形和幅度/相位校正電路。 HMC630LP3(E)的I和Q端口可用來(lái)連續(xù)改變RF
2025-04-09 11:16:06
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HMC500LP3(E)是一款高動(dòng)態(tài)范圍的矢量調(diào)制器RFIC,用于RF預(yù)失真和前饋消除電路,以及RF消除和波束成形幅度/相位校正電路。 可以使用HMC500LP3(E)的I/Q端口,持續(xù)改變RF信號(hào)
2025-04-09 10:55:15
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LCD_SPI_X->DAT = (uint16_t)dat;
while((LCD_SPI_X->STS & SPI_I2S_BUSY_FLAG
2025-04-02 14:29:25
近日,“西部樣板機(jī)場(chǎng)”和甘肅民航的“一號(hào)工程”—蘭州中川國(guó)際機(jī)場(chǎng)三期擴(kuò)建工程—T3航站樓正式投入運(yùn)營(yíng)。
2025-03-25 16:34:51
851 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)FD20-110S15B3C3-H1相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有FD20-110S15B3C3-H1的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料
2025-03-24 18:45:09

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2025-03-20 18:57:47

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2025-03-20 18:53:09

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2025-03-18 19:00:47

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2025-02-17 16:58:59
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PESD3V3T1BLD雙向ESD保護(hù)二極管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
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2025-02-10 16:17:38
0 N76E003 為新唐高速 1T 8051 微控制器系列產(chǎn)品,提供 18 KB Flash ROM、可配置Data Flash與高容量1 KB SRAM ,支持2.4V 至 5.5V 寬工作電壓
2025-01-17 16:22:45
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