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      Vishay

      SI8489EDB-T2-E1

      MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT

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      SI8489EDB-T2-E1 器件參數(shù)

      Function

      • 配置
        Single
      • 通道數(shù)量
        1
      • 連續(xù)漏極電流
        3.06 A
      • 輸入偏置電容@10V
        765 pF
      • 類型
        P溝道
      • 漏源電阻
        44 mΩ
      • 漏源電壓
        20 V
      • 漏源極擊穿電壓
        -20 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,1.5A
        44 mΩ
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        44 mΩ
      • 柵源電壓
        12 V
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        1.2 V
      • 柵極電荷@10V
        27 nC
      • 晶體管類型
        P溝道
      • 接通延遲時間
        27 ns
      • 功率耗散
        1.8 W, 780 mW
      • 關(guān)閉延遲時間
        50 ns
      • 元件數(shù)量
        1
      • 下降時間
        25 ns
      • 上升時間
        20 ns

      Physical

      • 觸點鍍層
        Tin
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        4
      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 包裝數(shù)量
        1
      • 制造商封裝
        UFBGA-4

      Compliance

      • 無鉛
        無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

      SI8489EDB-T2-E1 EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

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      SI8489EDB-T2-E1 圖片

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