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晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):60V;集電極電流(Ic):600mA;功率(Pd):250mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V;

晶體管類型:2個(gè)PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):45V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):300mW;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@100mA,5mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征頻率(fT):175MHz;工作溫度:+150℃@(Tj);

晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):100V;集電極電流(Ic):1A;功率(Pd):480mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):150@500mA,5V;

晶體管類型:-;集射極擊穿電壓(Vceo):-;集電極電流(Ic):-;功率(Pd):-;集電極截止電流(Icbo):-;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):-;特征頻率(fT):-;

晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):45V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):300mW;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):700mV@500mA,50mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V;特征頻率(fT):100MHz;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj);

晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):480V;集電極電流(Ic):1.5A;功率(Pd):1.5W;集電極截止電流(Icbo):1mA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@1A,250mA;特征頻率(fT):5MHz;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj);

晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):32V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):180@2mA,5V;

晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):100V;集電極電流(Ic):2.7A;功率(Pd):1.4W;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):290mV@2.7A,135mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):25@3A,2V;特征頻率(fT):115MHz;工作溫度:+150℃@(Tj);