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晶體管類型：NPN 集射極擊穿電壓(Vceo)：45V 集電極電流(Ic)：1A 功率(Pd)：1.3W 直流電流增益(hFE@Ic,Vce)：25@5mA,2V

晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):20V;集電極電流(Ic):2A;功率(Pd):650mW;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@2A,200mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):160@500mA,1V;特征頻率(fT):140MHz;工作溫度:+150℃@(Tj);

晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):30V;集電極電流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@800mA,80mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):120@100mA,5V;特征頻率(fT):100MHz;工作溫度:+150℃@(Tj);

晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):120V;集電極電流(Ic):800mA;功率(Pd):1W;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@500mA,50mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):80@100mA,5V;特征頻率(fT):120MHz;工作溫度:+150℃@(Tj);

晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):60V;集電極電流(Ic):600mA;功率(Pd):250mW;集電極截止電流(Icbo):20nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):1.6V@500mA,50mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V;特征頻率(fT):200MHz;工作溫度:+150℃@(Tj);

晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):30V;集電極電流(Ic):3A;功率(Pd):1W;集電極截止電流(Icbo):1μA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@2A,200mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):160@1A,2V;特征頻率(fT):80MHz;工作溫度:+150℃@(Tj);