
晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):600mA;功率(Pd):350mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V;
KEC

晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):50V;集電極電流(Ic):150mA;功率(Pd):200mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):270@1mA,6V;
Rubycon

晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):45V;集電極電流(Ic):800mA;功率(Pd):250mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V;
Rubycon

晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):300V;集電極電流(Ic):50mA;功率(Pd):200mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):50@25mA,20V;
Rubycon