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晶體管類(lèi)型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):450V;集電極電流(Ic):200mA;功率(Pd):625mW;集電極截止電流(Icbo):100uA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@50mA,10mA;特征頻率(fT):8MHz;工作溫度:+150℃@(Tj);

放大倍數(shù)300-400 100MA電流

晶體管類(lèi)型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):45V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):250mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V;

晶體管類(lèi)型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):150V;集電極電流(Ic):600mA;功率(Pd):350mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):150@10mA,5V;

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 40V 600mA 200MHz 225mW Surface Mount SOT-363

晶體管類(lèi)型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):200mA;功率(Pd):225mW;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):-;特征頻率(fT):300MHz;工作溫度:+150℃@(Tj);

晶體管類(lèi)型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):32V;集電極電流(Ic):2A;功率(Pd):1W;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):800mV@2A,200mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):180@500mA,3V;特征頻率(fT):100MHz;工作溫度:+150℃@(Tj);

晶體管類(lèi)型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):15A;功率(Pd):3.7W;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):375mV@15A,1.5A;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):45@15A,2V;特征頻率(fT):80MHz;工作溫度:+175℃@(Tj);