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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPD320N20N3 G-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPD320N20N3 G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 55mΩ@VGS=10V
  • ID 30A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介 - IPD320N20N3 G-VB

IPD320N20N3 G-VB 是一款高效的單N溝道功率MOSFET,采用TO252封裝,專為高壓、高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其典型的擊穿電壓為200V,柵極驅(qū)動電壓為 ±20V。該器件基于Trench(溝槽)技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻(RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V)和高導(dǎo)通電流能力(30A),適用于高效能電源管理和快速開關(guān)需求。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO252  
- **溝道類型**:單N溝道  
- **漏極-源極電壓 (VDS)**:200V  
- **柵極-源極電壓 (VGS)**:±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**:3V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:55mΩ @ VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**:30A  
- **技術(shù)類型**:Trench(溝槽)技術(shù)  
- **熱阻**:具有低熱阻特性,適合高功率應(yīng)用  

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **開關(guān)電源(SMPS)**  
  IPD320N20N3 G-VB 的高電壓特性和低導(dǎo)通電阻,使其非常適合在高效開關(guān)電源中使用。它能提高電源轉(zhuǎn)換效率,減少功耗,同時承受更高的工作電壓,適應(yīng)各種工業(yè)和消費(fèi)類電子設(shè)備的電源管理需求。

2. **電機(jī)驅(qū)動與控制**  
  該MOSFET的高電流承受能力和低開關(guān)損耗使其在電機(jī)驅(qū)動模塊中表現(xiàn)出色,尤其是在電動工具、工業(yè)機(jī)器人以及家用電器的電機(jī)控制模塊中。

3. **逆變器與光伏系統(tǒng)**  
  在光伏逆變器應(yīng)用中,IPD320N20N3 G-VB 可處理較高的直流電壓,提升能量轉(zhuǎn)換效率,廣泛應(yīng)用于光伏系統(tǒng)的直流/交流逆變模塊中。

4. **電池管理系統(tǒng)(BMS)**  
  它在電池管理系統(tǒng)中能夠幫助管理高電流負(fù)載,尤其是在電動汽車或儲能設(shè)備中,提供安全的電源控制和保護(hù)功能。

5. **不間斷電源系統(tǒng)(UPS)**  
  在UPS中,IPD320N20N3 G-VB 提供可靠的開關(guān)性能,確保在電源故障時能夠迅速切換供電,保持設(shè)備的正常運(yùn)行。

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