### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

IPD50CN10N G-VB 是一款采用 TO252 封裝的單N溝道 MOSFET。它具備100V的漏源電壓（VDS），±20V的柵源電壓（VGS）和1.8V的閾值電壓（Vth），可支持高達(dá)40A的電流負(fù)載。該MOSFET采用了先進(jìn)的Trench技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻（RDS(ON)），分別為35mΩ@VGS=4.5V和30mΩ@VGS=10V。該器件適用于高效功率轉(zhuǎn)換和開(kāi)關(guān)應(yīng)用，尤其在功率損耗敏感的電路中表現(xiàn)優(yōu)越。

### 參數(shù)說(shuō)明

1. **封裝類型**：TO252  
2. **配置**：?jiǎn)蜰溝道  
3. **漏源電壓 (VDS)**：100V  
4. **柵源電壓 (VGS)**：±20V  
5. **閾值電壓 (Vth)**：1.8V  
6. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**：  
  - 35mΩ @ VGS=4.5V  
  - 30mΩ @ VGS=10V  
7. **漏極電流 (ID)**：40A  
8. **技術(shù)**：Trench技術(shù)  
9. **柵極電荷 (Qg)**：低柵極電荷以提高開(kāi)關(guān)效率  
10. **工作溫度范圍**：-55°C 至 175°C  
11. **功耗 (Ptot)**：高功耗能力，適用于高負(fù)載環(huán)境

### 適用領(lǐng)域和模塊

1. **汽車電子**：IPD50CN10N G-VB 可用于電動(dòng)汽車中的逆變器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及車載電源管理系統(tǒng)。在這些模塊中，MOSFET 的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻可以減少功率損耗，從而提高車輛的整體能源效率。

2. **電源管理**：該器件非常適合應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) 和降壓轉(zhuǎn)換器等電源管理模塊中。其高耐壓和高電流能力使其在電源調(diào)節(jié)器和功率開(kāi)關(guān)領(lǐng)域表現(xiàn)出色，適用于高效功率轉(zhuǎn)換。

3. **工業(yè)控制系統(tǒng)**：IPD50CN10N G-VB 的堅(jiān)固性和高溫工作特性使其非常適合用于工廠自動(dòng)化中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、繼電器和工業(yè)功率控制系統(tǒng)中，在這些應(yīng)用中，它可以在苛刻的環(huán)境中可靠運(yùn)行。

4. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**：在大功率消費(fèi)電子設(shè)備中，如智能電視、家用電器和計(jì)算機(jī)電源中，該器件可用于負(fù)載開(kāi)關(guān)和電壓調(diào)節(jié)電路，提供高效的電力管理和熱效率。

通過(guò)其在不同領(lǐng)域的應(yīng)用，該MOSFET展現(xiàn)了其高效、低損耗、可靠性的特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于功率轉(zhuǎn)換和控制模塊中。