### 一、IPD50R280CE-VB 產(chǎn)品簡介
IPD50R280CE-VB 是一款高壓 N 溝道 MOSFET，采用 TO252 封裝，適用于高電壓和高功率應(yīng)用。其 500V 的漏源擊穿電壓和 14A 的漏極電流能力，使其能夠在要求高耐壓和高功率的電路中穩(wěn)定工作。采用 SJ_Multi-EPI 技術(shù)，這款 MOSFET 提供了優(yōu)良的耐壓性能和可靠性，適合用于高電壓的開關(guān)和控制應(yīng)用中，具有較高的耐久性和穩(wěn)定性。
### 二、IPD50R280CE-VB 詳細參數(shù)說明
- **封裝類型**：TO252
- **溝道配置**：單極 N 溝道
- **漏源擊穿電壓 (VDS)**：500V
- **柵極驅(qū)動電壓 (VGS)**：±30V
- **閾值電壓 (Vth)**：3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**：290mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**：14A
- **技術(shù)**：SJ_Multi-EPI（多層 EPI 技術(shù)）
### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例
1. **高電壓開關(guān)應(yīng)用**：
IPD50R280CE-VB 的高漏源擊穿電壓使其非常適合用于高電壓開關(guān)應(yīng)用，例如電源開關(guān)和高壓負載控制。其高耐壓性能能夠在高電壓環(huán)境中穩(wěn)定工作，確保開關(guān)電路的可靠性和安全性。
2. **電源轉(zhuǎn)換器和逆變器**：
在電源轉(zhuǎn)換器和逆變器中，IPD50R280CE-VB 可以用于高電壓直流到交流或交流到直流的轉(zhuǎn)換。其優(yōu)良的耐壓性能和穩(wěn)定的工作特性使其能夠在高功率和高電壓條件下高效地完成電能轉(zhuǎn)換任務(wù)。
3. **電機驅(qū)動系統(tǒng)**：
對于需要高電壓電機驅(qū)動的應(yīng)用，IPD50R280CE-VB 提供了穩(wěn)定的開關(guān)能力和較高的耐壓性能，適合在高電壓電機控制系統(tǒng)中使用。可以在高功率電機啟動和運行中提供可靠的開關(guān)和控制。
4. **電力電子設(shè)備**：
IPD50R280CE-VB 也適用于各種電力電子設(shè)備，如電力調(diào)節(jié)器和電源管理系統(tǒng)。其高耐壓和穩(wěn)定的電流處理能力能夠在這些設(shè)備中實現(xiàn)高效的電力控制和轉(zhuǎn)換，提高系統(tǒng)的整體性能和穩(wěn)定性。
