--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 最低頻率(MHz) 直流電
- 最大頻率(MHz) 18,000
- 增益(分貝) 18
- 飽和度(dBm) 38
- PAE (%) 71.6
- 電壓(伏) 12 至 32
- Idq (毫安) 25 至 125
--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡介
Qorvo 的 TGF2023-2-01 是一款分立式 1.25 mm GaN on SiC HEMT,工作頻率范圍為 DC 至 18 GHz。
該器件通常提供 38 dBm 的飽和輸出功率,在 3 GHz 時(shí)具有 18 dB 的功率增益。最大功率附加效率為 66%,這使得 TGF2023-2-01 適合高效率應(yīng)用。該部件無鉛且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)。
產(chǎn)品規(guī)格
最低頻率(MHz) 直流電
最大頻率(MHz) 18,000
增益(分貝) 18
飽和度(dBm) 38
PAE (%) 71.6
電壓(伏) 12 至 32
Idq (毫安) 25 至 125
主要特征
頻率范圍:直流至 18 GHz
3 GHz 時(shí)標(biāo)稱 Psat 為 38 dBm
71.6% 最大 PAE
3 GHz 時(shí)標(biāo)稱功率增益為 18 dB
偏壓:V D = 12 -32 V,I DQ = 125 mA
芯片尺寸:0.82 x 0.66 x 0.10 毫米
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