--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號 DMN52D0UVA
- 名稱 50V 雙N 溝道增強型 MOSFET
- 產(chǎn)地 臺灣
- 封裝 SOT563
--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN52D0UVA 這這種MOSFET被設計為最小化導通電阻(RDS(ON))同時保持卓越的切換性能,使其成為理想之選用于高效電源管理應用。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 DMN52D0UVA
名稱 50V 雙N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地 臺灣
封裝 SOT563
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 50 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.48@5V A
PD @TA = +25°C (W) 0.89 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 2000@5V mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 2500 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 4000 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.49 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.8 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 1.5 nC
CISS Typ (pF) 39 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25 V
主要特征
雙 N 溝道 MOSFET
低導通電阻
極低柵極閾值電壓,最大值 1.0V
低輸入電容
開關(guān)速度快
低輸入/輸出泄漏
超小型表面貼裝封裝
靜電放電保護
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