SGC1112-100B-R X波段內(nèi)部匹配 GaN HEMT

GaN HEMT X波段

型號： SGC1112-100B-R

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

廠家 Sumitomo Electric Device Innov
型號 SGC1112-100B-R
名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管
產(chǎn)地日本
封裝 IK

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號簡介
Sumitomo的SGC1112-100B-R是一種高功率GaN HEMT與X波段雷達波段匹配，以提供最佳功率和增益在50歐姆的系統(tǒng)中。

型號規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號 SGC1112-100B-R
名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管
產(chǎn)地日本
封裝 IK

型號參數(shù)
高輸出功率：Psat=51.0dBm（典型值）
高增益：Gp=9.0dB（典型值）
高功率附加效率：PAE=37%（典型值）
寬帶：11.4至12.0GHz
密封包裝

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