FLL200IB-1 L波段中高功率 GaAs FET

FET GaAs L波段

型號： FLL200IB-1

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

廠家 Sumitomo Electric Eudyna
型號 FLL200IB-1
名稱砷化鎵場效應管
產(chǎn)地日本
封裝 SMT

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號簡介
Sumitomo的FLL200IB-1、FLL200IB-2、FLL200 IB-3是功率GaAs FET，專門設計用于在L波段頻率下提供高功率，其增益、線性和效率優(yōu)于硅器件。AB類操作在多音環(huán)境中的性能使其非常適合基站應用。住友電機嚴格的質量保證計劃確保了最高的可靠性和一致的性能。

型號規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Eudyna
型號 FLL200IB-1
名稱砷化鎵場效應管
產(chǎn)地日本
封裝 SMT

型號參數(shù)
高輸出功率：P1dB=42.5dBm（典型）
高增益：G1dB=13.0dB（典型值）@1.8GHz（FLL200IB-1）
高PAE：ηadd=34%（典型值）
經(jīng)驗證的可靠性
密封包裝

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