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廣電計量

廣電計量一家全國化、綜合性的國有第三方檢測機構(gòu)。專注于為客戶提供計量、檢測、認證以及技術(shù)咨詢與培訓(xùn)等專業(yè)技術(shù)服務(wù)。

256 內(nèi)容數(shù) 33w+ 瀏覽量 31 粉絲

MOSFET,IGBT功率器件失效根因分析功

型號： 率器件失效根因分析
品牌： GRGTEST(廣電計量)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 服務(wù)區(qū)域 全國
  • 服務(wù)資質(zhì) CNAS認可
  • 加急服務(wù) 可提供
  • 報告類型 中英文電子/紙質(zhì)報告

--- 產(chǎn)品詳情 ---

基本介紹

功率器件可靠性是器件廠商和應(yīng)用方除性能參數(shù)外最為關(guān)注的，也是特性參數(shù)測試無法評估的，失效分析則是分析器件封裝缺陷、提升器件封裝水平和應(yīng)用可靠性的基礎(chǔ)。廣電計量擁有業(yè)界領(lǐng)先的專家團隊及先進的失效分析設(shè)備，專注功率器件失效根因分析，可為客戶提供完整的失效根因分析服務(wù)。

服務(wù)范圍

MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導(dǎo)體器件等分立器件，以及上述元件構(gòu)成的功率模塊

檢測標準

  GJB548B-2005微電子器件試驗?法和程序

  QJ3065.5-98元器件失效分析管理要求

檢測項目

試驗類型

試驗項?

?損分析

X 射線透視、聲學(xué)掃描顯微鏡、?相顯微鏡

電特性/電性定位分析

電參數(shù)測試、IV&CV 曲線量測、ESD、Photon Emission、OBIRCH、ATE 測試與三溫(常溫/低溫/高溫) 驗證

破壞性分析

開封、去層、切片、芯片級切片、推拉力測試

微觀顯微分析

DB FIB切片截?分析、FESEM 檢查、EDS微區(qū)元素分析、掃描電鏡、透射電鏡

相關(guān)資質(zhì)

CNAS

服務(wù)背景

國內(nèi)功率器件廠商迎來了空前的發(fā)展機會。在成長中廠商迫切希望減少或消除產(chǎn)品失效，并在設(shè)計、?藝和產(chǎn)品研發(fā)、量產(chǎn)、可靠性測試、封裝等階段進?改進，以迅速占領(lǐng)市場。

我們的優(yōu)勢

廣電計量擁有業(yè)界領(lǐng)先的專家團隊及先進的失效分析設(shè)備，專注功率器件失效根因分析，可為客戶提供完整的失效根因分析服務(wù)，針對產(chǎn)品的研發(fā)設(shè)計、來料檢驗、加?組裝、測試篩選、客戶端使用等各個環(huán)節(jié)，為客戶提供失效分析咨詢、協(xié)助客戶開展設(shè)計規(guī)劃、以及分析測試服務(wù)。

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