熔絲型PROM的存儲單元

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PROM(48362) PROM(48362)
簡單PLD(33047) 簡單PLD(33047)

在Altera CycIone II系列FPGA中用VHDL實現(xiàn)E2PROM控制器的設(shè)計

E2PROM存儲器存儲單元的損壞主要是由頻繁的寫操作造成的。若要解決問題，首先耍避免對同一單元進(jìn)行頻繁的擦寫，降低存儲單元損壞的可能；其次當(dāng)某些單元損壞時，讀寫控制器應(yīng)該能夠跳過這些損壞的單元，保證系統(tǒng)能繼續(xù)正常工作。本文設(shè)計的E2PROM控制器具有這兩個方面的功能。

2020-07-22 17:32:52

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各個存儲單元之間的區(qū)別

就基本的 SSD 存儲單元而言，有 SLC、MLC、TLC 和 QLC。其中，TLC 是最受歡迎的，不過，QLC 最終將取代它們。在 I/O 方面，有 SATA 和 NVMe。

2022-08-26 16:41:35

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常用存儲單元的原理和特點

在芯片設(shè)計時，通常需要用到各種類型的存儲單元，用以臨時或者永久地存儲數(shù)據(jù)。根據(jù)應(yīng)用場合的不同，所用到的存儲單元也不同。本文對常見的幾個存儲單元進(jìn)行了介紹，并簡述了其工作原理和特點。需要特別

2022-12-02 17:36:24

1953

存儲位元與存儲單元是什么含義

存儲位元與存儲單元是什么含義？數(shù)據(jù)通信的方式可以分為哪幾種呢？

2022-01-21 07:17:58

存儲器對全部存儲單元刷新遍所需的實際刷新時間是多少

設(shè)存儲器讀/寫周期為 0.5us， CPU在1us內(nèi)至少要訪問一次。試問采用哪種刷新方式比較合理？兩次刷新的最大時間間隔是多少？對全部存儲單元刷新遍所需的實際刷新時間是多少？

2021-10-26 07:05:19

熔絲位的作用是什么？如何設(shè)置熔絲位呢？

熔絲位的作用是什么？如何設(shè)置熔絲位？給個清晰明白的理解。

2023-11-06 07:14:53

熔絲位簡要說明

熔絲位簡要說明熔絲位功能配置說明熔絲低位CKDIV8時鐘8分頻0：時鐘8分頻 1：時鐘不分頻 CKOUT時鐘輸出0：系統(tǒng)時鐘輸出（PB0） 1：不輸出 SUT1選擇啟動時間根據(jù)時鐘源選擇..

2021-07-21 07:29:14

ATMEGA640熔絲位設(shè)定

ATMEGA640熔絲位設(shè)定CKSEL設(shè)定為0011時（內(nèi)部rc 128KHZ）時，芯片被鎖，無法使用，這現(xiàn)象很奇怪，希望高手能解答一下，什么原因，看看有沒有解鎖方法，謝謝?。?/div>

2017-07-10 09:34:08

ATmega48v，使用外部晶振熔絲位鎖死問題

我想用ATmega48v做一個低功耗小系統(tǒng)，使用外部陶瓷晶振455khz，但是只要我一改熔絲位就會出現(xiàn)熔絲位鎖死問題，查表得455k是在0.4-0.9M之間的：SUT="10"

2015-04-23 10:35:40

AVR 熔絲位設(shè)置及拯救方法

2013-07-26 22:48:36

AVR熔絲位學(xué)習(xí)

2012-07-16 09:01:39

AVR熔絲位操作時的要點和需要注意的相關(guān)事項

絲位的配置，并將各個熔絲位的狀態(tài)記錄備案。AVR芯片加密以后僅僅是不能讀取芯片內(nèi)部Flash和E2PROM中的數(shù)據(jù)，熔絲位的狀態(tài)仍然可以讀取但不能修改配置。芯片擦除命令是將Flash和E2PROM中

2018-04-08 10:25:17

AVR單片機的熔絲位

1.熔絲位簡介：熔絲位狀態(tài)為“1”表示未編程，熔絲位狀態(tài)為“0”表示編程，因為在AVR的器件手冊中是使用已編程和未編程定義熔絲位的。AVR單片機的熔絲位是可以多次編程的。AVR單片機芯片加密鎖定之后

2021-07-13 07:36:53

AVR單片機解密后的熔絲配置？

單片機內(nèi)部有多組與器件配置和運行環(huán)境相關(guān)的的熔絲位，這些熔絲位非常重要，用戶可以通過設(shè)定和配置熔絲位使AVR單片機局部不同的特性，以更加適合實際應(yīng)用。但是由于需要對熔絲位進(jìn)行配置，給初學(xué)者帶來一些

2013-06-04 11:25:03

AVR有熔絲位存在怎么實現(xiàn)量產(chǎn)（我是菜鳥不太懂）

比如開發(fā)的產(chǎn)品要用到外部晶振的話，必須改變默認(rèn)熔絲位。那這么產(chǎn)品還能量產(chǎn)么，總不能一個個的去改變熔絲位吧。

2014-04-03 16:46:42

AVR的復(fù)位源是什么？AVR熔絲位的配置方式有哪些？

AVR的復(fù)位源是什么？AVR的復(fù)位方式有哪些？mega16的熔絲位有哪些？AVR熔絲位的配置方式有哪些？

2021-07-07 07:04:35

Atmega48想用外部低頻晶振，熔絲位設(shè)置完之后總被鎖死

熔絲位設(shè)置以及ISP下載速度如圖：

2015-04-13 09:43:21

DRAM上電時存儲單元的內(nèi)容是全0嗎

1.(判斷題)DRAM上電時存儲單元的內(nèi)容是全0，而Flash上電時存儲單元的內(nèi)容是全1。(4分) A.正確B.錯誤 FLASH可保存上電后不知道是啥2.(判斷題)眼圖可以用來分析高速信號的碼間

2021-07-22 08:57:49

DRAM上電時存儲單元的內(nèi)容是全0，而Flash上電時存儲單元的內(nèi)容是全1，對嗎？

判斷題：DRAM上電時存儲單元的內(nèi)容是全0，而Flash上電時存儲單元的內(nèi)容是全1

2017-08-23 09:29:31

FIB如何恢復(fù)加密熔絲？修改加密線路的方法是什么？

2021-10-22 06:09:57

HDL怎樣對LC單元布線

我們用HDL對硬件進(jìn)行編程，但FPGA的最小邏輯單元LC之間是沒有連線的，編程之后是通過什么裝置對LC布線的？各個LC又是通過什么相連的？就像熔絲、反熔絲那樣可以理解，但其他的是怎樣的呢？

2013-08-14 10:25:52

IC卡存儲器相關(guān)資料下載

的，在出廠時其熔絲位已被編程，你已無法對其更改，其后的40位計數(shù)單元受內(nèi)部邏輯控制在寫時只能減少不能增加直至到0為止，因此你想用一般的IC電話卡打免費電話是不可能的，除非你能用微控制器(單片機）仿真它

2021-05-26 07:05:11

M16單片機的熔絲位問題

設(shè)置成外部熔絲位和設(shè)置為內(nèi)部熔絲位有什么區(qū)別呢？

2015-06-02 19:31:36

MOS存儲單元的工作原理

方式邊界對齊的數(shù)據(jù)存放方法主存的基本結(jié)構(gòu)和工作過程存儲系統(tǒng)的層次結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體存儲器靜態(tài)MOS存儲器 SRAM靜態(tài)MOS存儲單元靜態(tài)MOS存儲器的結(jié)構(gòu)動態(tài)MOS存儲器 DRAM四管動態(tài)MOS存儲元的工作原理

2021-07-28 07:59:20

Nand Flash的物理存儲單元的陣列組織結(jié)構(gòu)

Nand Flash的物理存儲單元的陣列組織結(jié)構(gòu)Nand flash的內(nèi)部組織結(jié)構(gòu)，此處還是用圖來解釋，比較容易理解：圖2.Nand Flash物理存儲單元的陣列組織結(jié)構(gòu)[url=][img=1,0

2018-06-12 10:10:18

SOC內(nèi)SRAM各存儲單元是否是由其硬件電路保證總是一樣的

請教Arm專家大俠: SOC內(nèi)SRAM各存儲單元, 其“每次上電冷啟動后、還未寫入應(yīng)用數(shù)據(jù)前的初始狀態(tài)數(shù)據(jù)”是否是由其硬件電路保證總是一樣的（全0或全1）？不會隨機變化（有時為0有時為1）? 能否從硬件原理角度簡單說明下? 謝謝。

2022-08-19 15:37:40

atmel studio 7如何設(shè)置熔絲位？

如何設(shè)置熔絲位？在atmel studio 7中的界面中，也沒有搜索到fuses 選項中進(jìn)行熔絲位的設(shè)置。求大神幫助。

2017-05-11 11:48:30

mega48_88_168熔絲位是什么？

2021-11-09 06:36:49

niosii編譯提示on-chip menmory 存儲單元不夠,怎么解決?

niosii編譯提示on-chip menmory 存儲單元不夠,怎么解決?

2015-01-18 09:31:43

progisp168的熔絲位設(shè)置在哪里修改？

誰用這個軟件設(shè)置過熔絲位，我的熔絲位沒有了，（USBASP）正常是在中間有一個FFCD寫的，但是我的一打開就沒有了，那位大神用過指點

2023-11-03 06:17:45

主存中存儲單元地址是如何進(jìn)行分配的

主存中存儲單元地址是如何進(jìn)行分配的？存儲芯片的容量有多大？

2021-10-19 08:25:52

主存中存儲單元地址的分配

4.2.1.主存中存儲單元地址的分配：存儲字長：存儲器中一個存儲單元(存儲地址)所存儲的二進(jìn)制代碼的位數(shù)，即存儲器中的MDR的位數(shù)。字(word) : 若干個字節(jié)組成一一個”字” ( word)。一

2021-07-28 06:43:06

保險絲快熔與慢熔的區(qū)別

線路的過載或短路保護，一般的正規(guī)工廠。　　保險絲有快熔和慢熔區(qū)別，主要在反應(yīng)時間不同，實質(zhì)二者在I2t指標(biāo)上是不同的，并且快熔型保險絲一般用于保護敏感產(chǎn)品免受損壞，如果誤選擇了慢熔型保險絲，可能會對設(shè)備

2020-06-22 10:01:45

關(guān)于反熔絲FPGA的調(diào)試問題

小弟最近要用ACTEL的一款加固反熔絲FPGA。想請教大家1個關(guān)于如何調(diào)試問題：基于SRAM或FLASH的FPGA，在調(diào)試階段都有再編程功能。但反熔絲的程序只能下載一次，大家都是怎么調(diào)試的ACTEL

2015-02-10 10:46:01

關(guān)于用AVR Studio 5編程熔絲位EESAVE的問題

我用的ATmega1280環(huán)境是最新的AVR Studio 5現(xiàn)在的問題描述如下：我勾選EESAVE熔絲位，選擇編程改變它的值，重新上電，讀出，一切正常，對EESAVE熔絲位的編程沒有任何問題。但是

2012-02-21 19:13:12

單片機寫熔絲寫錯會被鎖住嗎？

用的是progisp寫熔絲，熔絲寫錯會被鎖住嗎，我寫的時候好像沒遇到，選項里面也沒有看到，想確認(rèn)下，單片機是atmega8

2023-11-08 07:21:51

四個晶體管搭建靜態(tài)存儲單元，加兩個晶體管搭建寫控制電路

本帖最后由 elecfans電子發(fā)燒友于 2018-1-2 21:02 編輯自己動手搭建電路可以發(fā)現(xiàn)許多有趣的東西。今天為大家?guī)淼氖恰办o態(tài)存儲單元”及其“寫控制電路”的搭建。 “靜態(tài)

2017-01-08 12:11:06

國內(nèi)最強的MSP430編程器(USB型)支持bsl jtag ***w 熔絲燒斷高級加密

MSP430編程器(USB型)國內(nèi)首家支持F5 支持bsl jtag ***w 熔絲燒斷高級加密供應(yīng)MSP430編程器(USB型)支持bsl jtag ***w 熔絲燒斷高級加密供應(yīng)MSP430

2010-11-25 15:34:15

在AVR的器件手冊中怎樣去定義熔絲位的狀態(tài)？

在AVR的器件手冊中，怎樣去定義熔絲位的狀態(tài)？熔絲位的配置是如何實現(xiàn)的？芯片擦除命令是什么意思？下載編程的正確操作程序是什么？

2021-07-08 07:30:13

基本熔絲學(xué) PPT下載

基本熔絲學(xué)電路保護篇[hide][/hide]

2009-12-03 10:39:48

如何利用電子熔絲節(jié)省空間

在進(jìn)行電源設(shè)計時，經(jīng)常會產(chǎn)生保護問題。您需要多大程度的保護？如何實施保護？如果您仍使用熔絲進(jìn)行保護，請查看我同事的博客更新您的熔絲。如果您使用帶外部FET的熱插拔控制器進(jìn)行保護，請繼續(xù)閱讀，了解

2018-09-03 15:17:24

如何去正確的安裝熔絲

1、【判斷題】三相半波可控整流電路中，可控硅在承受正向電壓時即導(dǎo)通。（×）2、【判斷題】裝熔絲時，一定要沿順時針方向彎過來，壓在墊圈下。（√）3、【判斷題】T610臥式鏜床的鋼球無級變速器達(dá)到極限位置，拖動變速成的電動機應(yīng)...

2021-09-17 07:39:22

如何在不使用DDR內(nèi)存控制器的情況下設(shè)計FPGA BRAM大容量存儲單元？

你好如何在不使用DDR內(nèi)存控制器的情況下設(shè)計FPGA BRAM（或任何其他內(nèi)存模塊_SD，DDR以外的本地等）大容量存儲單元？當(dāng)我通過示例設(shè)計“VC707_bist”替換DRAM控制器和BRAM

2019-04-04 15:10:55

如何對AVR熔絲位進(jìn)行配置

對AVR熔絲位的配置是比較細(xì)致的工作，用戶往往忽視其重要性，或感到不易掌握。下面給出對AVR熔絲位的配置操作時的一些要點和需要注意的相關(guān)事項。有關(guān)ATmega128熔絲位的具體定義和功能請查看本書

2021-07-13 07:24:17

如何把單片機存儲單元清0或置1?

怎么把單片機存儲單元清0或置1?

2023-10-16 07:59:42

如何設(shè)置AVR單片機加密熔絲位？

什么是熔絲位？如何設(shè)置AVR單片機加密熔絲位？

2021-09-24 06:55:43

實用電子熔絲電路

電子熔絲電路如附圖所示，它實質(zhì)上是一種開斷電流可調(diào)、靈敏度高、反應(yīng)快速的電路開路器，即斷路器．其引出端通過鱷魚夾接到被測電路的保險絲座上，即可代替原來的保險絲。接負(fù)載的兩個引出端和繼電器K的一組常閉

2012-03-31 14:29:27

家用電子熔絲電路分析

電子熔絲電路如附圖所示，它實際上是一個具有手動復(fù)位功能、開斷電流可調(diào)、靈敏度高、反應(yīng)快速的電子開路器，即斷路器，其引出端通過鱷魚夾接到用電器電路的保險絲座上．便可代替原來的保險絲。

2021-04-27 07:54:51

對AVR熔絲位的配置操作時有哪些注意要點和事項？

對AVR熔絲位的配置操作時有哪些注意要點和事項？ATmega128熔絲位有哪些功能？

2021-09-26 06:54:12

對AVR熔絲位的配置操作時有哪些需要注意的相關(guān)事項以及相應(yīng)的拯救方法？

熔絲位是什么意思？對AVR的熔絲位進(jìn)行配置有哪幾種方式？對AVR熔絲位的配置操作時有哪些要點？對AVR熔絲位的配置操作時有哪些需要注意的相關(guān)事項以及相應(yīng)的拯救方法？

2021-07-07 07:19:28

對AVR熔絲位的配置操作時的要點和注意事項有哪些？

對AVR熔絲位的配置是比較細(xì)致的工作，用戶往往忽視其重要性，或感到不易掌握。下面給出對AVR熔絲位的配置操作時的一些要點和需要注意的相關(guān)事項。

2021-03-18 07:40:38

對AVR熔絲位進(jìn)行配置需要注意哪些事項

熔絲位是什么意思？對AVR熔絲位進(jìn)行配置需要注意哪些事項？

2021-10-29 08:01:11

怎么隨機存取存儲器ram中的存儲單元？

怎么隨機存取存儲器ram中的存儲單元

2023-09-28 06:17:04

求助，關(guān)于AVR單片機熔絲位的問題

最近燒寫一個avr單片機，F(xiàn)lash文件是唯一的，熔絲位應(yīng)該選擇內(nèi)部振蕩器，可是我選擇外部晶振一樣可以燒錄，并且上電可以讀出數(shù)據(jù)，之前有說過熔絲位鎖死，不能寫錯，我又改寫了內(nèi)部振蕩器仍然可以寫入和讀出，難道這個熔絲位隨便寫，對電路沒有影響？？

2023-11-06 07:10:45

求助，關(guān)于晶振熔絲選擇問題

最近在燒錄ATmega8的時候，之前的燒錄一直都選擇內(nèi)部振蕩器，最近試試看外部晶振也一樣工作，燒完內(nèi)部重新改寫成外部或者燒寫外部改寫成內(nèi)部，結(jié)果都一樣，那可是熔絲位選項，我有點懵了，難道熔絲位選項是忽悠人的？

2023-11-02 07:28:13

求助：ATMEGA162熔絲擴展位寫不進(jìn)去

第一次使用ATmega162，熔絲擴展位默認(rèn)為FF，但是一旦燒寫程序或者寫入了其他熔絲位，熔絲擴展位全變成0，而且無法改變，寫入1顯示寫入成功，但是讀出還是0，但是熔絲位高低字節(jié)都可以正常寫入，試了五六片全都是一樣的情況求高手解答如果寫入atmega162的熔絲擴展位

2016-11-16 08:13:29

請問有無使用反熔絲FPGA器件經(jīng)驗

目前想采用反熔絲FPGA器件用于工程設(shè)計，想問群上各位大大，有沒有什么需要注意的地方，謝謝啊

2014-12-28 10:11:50

高性能開關(guān)電流存儲單元的設(shè)計及應(yīng)用

對第一代開關(guān)電流存儲單元產(chǎn)生的時鐘饋通誤差做了合理的近似分析，設(shè)計了一種高性能開關(guān)電流存儲單元。該電路僅在原存儲單元的基礎(chǔ)上增加了一個MOS管，使誤差降為原來的4%，

2010-07-05 14:50:48

低電壓甲乙類開關(guān)電流存儲單元

低電壓甲乙類開關(guān)電流存儲單元 引言開關(guān)電流存儲單元是電流模式采樣數(shù)據(jù)信號處理系統(tǒng)的基本單元電路，其性能的優(yōu)

2007-08-15 16:06:29

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三態(tài)MOS動態(tài)存儲單元電路

三態(tài)MOS動態(tài)存儲單元電路

2009-10-10 18:45:49

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使用FAMOS管的存儲單元

使用FAMOS管的存儲單元

2009-12-04 12:27:29

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E2PROM的存儲單元

E2PROM的存儲單元

2009-12-04 13:03:57

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E2PROM存儲單元的三種工作狀態(tài)

2009-12-04 13:04:45

1334

六管NMOS靜態(tài)存儲單元

六管NMOS靜態(tài)存儲單元

2009-12-04 15:30:03

6567

四管動態(tài)MOS存儲單元

2009-12-04 16:34:14

2284

單管動態(tài)MOS存儲單元

2009-12-04 16:50:24

3757

PROM,PROM是什么意思

PROM,PROM是什么意思在微機的發(fā)展初期，BIOS都存放在ROM（Read Only Memory，只讀存儲器）中。ROM內(nèi)部的資料是在ROM的制造工序中，在工廠

2010-03-24 15:59:37

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應(yīng)用于超低電壓下的SRAM存儲單元設(shè)計

應(yīng)用于超低電壓下的SRAM存儲單元設(shè)計_劉冰燕

2017-01-07 21:39:44

使用賽道存儲單元的近閾值非易失SRAM

使用賽道存儲單元的近閾值非易失SRAM_孫憶南

2017-01-07 21:45:57

基于OTP存儲器存儲單元讀取閥值

。O工P存儲器的種類很多，很多是基于熔絲和反熔絲，本文介紹的O工P存儲器基于反熔絲結(jié)構(gòu)。在反熔絲O工P存儲器中，通過對選中單元的編程改變了存儲單元內(nèi)部的結(jié)構(gòu)。理想的讀機制下，沒有編程的存儲單元讀取時會讀出0，而通過編程的存儲單元在讀取時會讀出1。反

2017-11-07 11:45:21

東芝推出基于單層存儲單元NAND閃存的BENAND產(chǎn)品

東芝公司近日發(fā)布了BENAND產(chǎn)品。該產(chǎn)品基于單層存儲單元（SLC）NAND閃存，并且內(nèi)嵌錯誤糾正功能（ECC）。BENAND產(chǎn)品正式批量生產(chǎn)的時間為2012年3月。BENAND在東芝公司最先

2018-10-08 17:11:00

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存儲單元四個基礎(chǔ)知識

存儲單元的作用：可以進(jìn)行讀寫操作以及存放數(shù)據(jù)。

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存儲單元結(jié)構(gòu)

靜態(tài)RAM的基本構(gòu)造塊是SRAM存儲單元。通過升高字線的電平觸發(fā)存儲單元，再通過位線對所觸發(fā)的存儲單元進(jìn)行讀出或?qū)懭?。在靜態(tài)CMOS存儲器中，存儲單元陣列將會占去整個存儲器芯片面積的一半以上，在一些

2020-05-14 09:19:47

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垂直環(huán)繞柵晶體管可縮小MRAM和RRAM存儲單元！

個名為Row Hammer的頑固安全漏洞。 Spin Memory的垂直環(huán)繞柵晶體管可以縮小MRAM和RRAM存儲單元。 Spin Memory將設(shè)備稱為通用選擇器（Universal

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按照數(shù)據(jù)存取的方式不同，ram中的存儲單元分為兩種：靜態(tài)存儲單元一靜態(tài)RAM（SRAM）;動態(tài)存儲單元動態(tài)RAM（DRAM）。 1.靜態(tài)存儲單元（SRAM）：它由電源來維持信息，如觸發(fā)器，寄存器

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