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E2PROM的存儲單元
E2PROM的存儲單元
- 存儲單元(16064)
- EEPROM(79986)
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在Altera CycIone II系列FPGA中用VHDL實現(xiàn)E2PROM控制器的設(shè)計
E2PROM存儲器存儲單元的損壞主要是由頻繁的寫操作造成的。若要解決問題，首先耍避免對同一單元進行頻繁的擦寫，降低存儲單元損壞的可能；其次當(dāng)某些單元損壞時，讀寫控制器應(yīng)該能夠跳過這些損壞的單元，保證系統(tǒng)能繼續(xù)正常工作。本文設(shè)計的E2PROM控制器具有這兩個方面的功能。
2020-07-22 17:32:52
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2022-08-26 16:41:353275
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常用存儲單元的原理和特點
在芯片設(shè)計時，通常需要用到各種類型的存儲單元，用以臨時或者永久地存儲數(shù)據(jù)。根據(jù)應(yīng)用場合的不同，所用到的存儲單元也不同。本文對常見的幾個存儲單元進行了介紹，并簡述了其工作原理和特點。需要特別
2022-12-02 17:36:241953
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2018-01-06 17:24:24
存儲器關(guān)鍵詞匯總
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2021-10-26 07:05:19
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2020-07-14 18:17:19
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2013-05-13 22:55:34
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板上接了一塊 FT24C32A 的E2PROM, 掛在在 I2C2, SCL-->PB10, SDA-->PB11, 寫數(shù)據(jù)地址是16位，2字節(jié)同樣的代碼在F4上讀寫正常
2022-09-14 10:11:34
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C程序理解 字節(jié)轉(zhuǎn)十進制字符串格式 51單片機I2C與E2PROM
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1.(判斷題)DRAM上電時存儲單元的內(nèi)容是全0，而Flash上電時存儲單元的內(nèi)容是全1。(4分) A.正確B.錯誤 FLASH可保存 上電后不知道是啥2.(判斷題)眼圖可以用來分析高速信號的碼間
2021-07-22 08:57:49
DRAM上電時存儲單元的內(nèi)容是全0，而Flash上電時存儲單元的內(nèi)容是全1，對嗎？
判斷題：DRAM上電時存儲單元的內(nèi)容是全0，而Flash上電時存儲單元的內(nèi)容是全1
2017-08-23 09:29:31
I2C總線器件應(yīng)用
; 頁寫入方式：單片機在一個數(shù)據(jù)寫周期內(nèi)可以訪問1頁E2PROM存儲單元。頁寫入幀格式下圖所示：三、讀/寫操作應(yīng)用 &
2008-08-13 17:54:16
MOS存儲單元的工作原理
方式邊界對齊的數(shù)據(jù)存放方法主存的基本結(jié)構(gòu)和工作過程存儲系統(tǒng)的層次結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體存儲器靜態(tài)MOS存儲器 SRAM靜態(tài)MOS存儲單元靜態(tài)MOS存儲器的結(jié)構(gòu)動態(tài)MOS存儲器 DRAM四管動態(tài)MOS存儲元的工作原理
2021-07-28 07:59:20
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Nand Flash的物理存儲單元的陣列組織結(jié)構(gòu)Nand flash的內(nèi)部組織結(jié)構(gòu)，此處還是用圖來解釋，比較容易理解：圖2.Nand Flash物理存儲單元的陣列組織結(jié)構(gòu)[url=][img=1,0
2018-06-12 10:10:18
SOC內(nèi)SRAM各存儲單元是否是由其硬件電路保證總是一樣的
請教Arm專家大俠: SOC內(nèi)SRAM各存儲單元, 其“每次上電冷啟動后、還未寫入應(yīng)用數(shù)據(jù)前的初始狀態(tài)數(shù)據(jù)”是否是由其硬件電路保證總是一樣的（全0或全1）？不會隨機變化（有時為0有時為1）? 能否從硬件原理角度簡單說明下? 謝謝。
2022-08-19 15:37:40
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SRAM+E2PROM存儲卡。RAM容量：64KB。E2PROM容量：64KB。輸入輸出點數(shù)：4096點。輸入輸出元件數(shù)：8192點。程序容量：1000 k步QD64D2用戶手冊。處理速度
2021-09-01 07:02:40
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，其實芯片內(nèi)部本身也附帶了一個（模擬的）存儲器，官方說是 E2PROM\mathrm{E^2PROM}E2PROM ，然而其實是用 Flash 模擬的，這就導(dǎo)致它的一些特性與普通 E2PROM\mathr...
2022-02-18 06:03:29
am335x如何通過spi實現(xiàn)對E2PROM讀寫
接觸arm不久現(xiàn)在不知道該如何下手，具體的設(shè)計步驟是什么，需要進行哪些配置？目前選用Atmel的AT25512串行SPI EEPROM連接到ARM的SPI0接口，暫時只要實現(xiàn)對E2PROM的簡單讀寫就好，希望有好朋友賜教。
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串行E2PROM讀寫軟件工具
串行E2PROM讀寫軟件工具一個27k的小程序24cxx.exe，這款程序不大，功能卻不遜色于某些大型軟件，搽讀寫校樣樣都能，最大的優(yōu)點就是速度奇快，完全可以作為量寫的工具，界面也很簡單，稍加熟悉
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主存中存儲單元地址的分配
4.2.1.主存中存儲單元地址的分配：存儲字長：存儲器中一個存儲單元(存儲地址)所存儲的二進制代碼的位數(shù)，即存儲器中的MDR的位數(shù)。字(word) : 若干個字節(jié)組成一一個”字” ( word)。一
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從24C64到E2PROM中的地址寫入字節(jié)
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2022-01-11 06:27:03
單片機存儲器的相關(guān)資料下載
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2022-01-26 07:30:11
四個晶體管搭建靜態(tài)存儲單元，加兩個晶體管搭建寫控制電路
本帖最后由 elecfans電子發(fā)燒友 于 2018-1-2 21:02 編輯
自己動手搭建電路可以發(fā)現(xiàn)許多有趣的東西。今天為大家?guī)淼氖恰办o態(tài)存儲單元”及其“寫控制電路”的搭建。 “靜態(tài)
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基于Keil C的AT24C02串行E2PROM的編程
基于Keil C的AT24C02串行E2PROM的編程AT24C02是美國Atmel公司的低功耗CMOS型E2PROM，內(nèi)含256×8位存儲空間，具有工作電壓寬(2.5～5.5
2009-08-18 17:13:25
如何使用內(nèi)部閃存像內(nèi)部E2PROM
大家好，有人能告訴我，如果我可以使用內(nèi)部閃存像內(nèi)部E2PROM？謝謝你，Doralice
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如何在CY8C29466中將校準(zhǔn)數(shù)據(jù)下載到e2prom中
E2PROM。但我不知道該怎么做？我已經(jīng)研究了相關(guān)文件到E2PROM，AN2015。它使用一個數(shù)組來存儲寫入E2PROM的數(shù)據(jù)。然而，當(dāng)要寫入大量數(shù)據(jù)時，這是不實際的。有沒有人知道其他方法將校準(zhǔn)數(shù)據(jù)下載
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你好如何在不使用DDR內(nèi)存控制器的情況下設(shè)計FPGA BRAM（或任何其他內(nèi)存模塊_SD，DDR以外的本地等）大容量存儲單元？當(dāng)我通過示例設(shè)計“VC707_bist”替換DRAM控制器和BRAM
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本人菜鳥一枚，最近思考一個問題。帶有E2PROM的設(shè)備連接在電腦上，做怎樣的設(shè)計才能使E2PROM中存貯的數(shù)據(jù)不會被篡改呢。我感覺連接在電腦上好不安全0.0。有大神能指導(dǎo)一下嗎
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關(guān)于MCU的存儲方面，以前基本上用內(nèi)置的E2PROM,或者是外置的NOR?Flash?就可以了。但隨著物聯(lián)網(wǎng)的興起，MCU的應(yīng)用越來越廣泛了，逐漸的MCU會涉及到大容量的存儲需求，用來存儲音頻，圖片
2019-10-10 16:55:02
用單片機實現(xiàn)的脈沖編碼傳感器設(shè)計
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通過串口向 PC 機發(fā)送電壓值，通過串口接收系統(tǒng)配置參數(shù)并保存到 E2PROM 中。設(shè)備硬件部分主要由電源部分、控制器單元、串口部分、存儲單元組成，系統(tǒng)框圖如圖 1 所示 ：設(shè)計任務(wù)及要求1...
2021-12-21 06:16:09
請問STM32有類似單片機內(nèi)部E2PROM嗎？
一般單片機都有內(nèi)部E2PROM，可以保存運行中數(shù)據(jù)，掉電數(shù)據(jù)不消失，STM32有類似這樣的東西嗎？
2020-04-08 02:25:38
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請問在F28M35中，是否在FLASH中存在一個區(qū)域被劃為E2PROM，請問該如何使用這片區(qū)域，有多大，謝謝
2018-11-08 09:54:59
采用AT89S2051單片機配合串行E2PROM存儲器實現(xiàn)CPLD/FPGA器件的被動串行模式的下載配置
針對基于SRAM工藝的器件的下載配置問題，本文介紹采用AT89S2051單片機配合串行E2PROM存儲器，實現(xiàn)CPLD/FPGA器件的被動串行（PS）模式的下載配置。
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現(xiàn)象：單片機采用硬件I2C讀取E2PROM，當(dāng)單片機復(fù)位時，會有概率出現(xiàn)再無法與E2PROM通信，此時SCL為高，SDA一直為低。原因：當(dāng)單片機正在和E2PROM通信，如果主正好發(fā)生打算發(fā)第9個時鐘
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內(nèi)置Reset WDT電路的串行E2PROM芯片資料
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2008-07-20 18:14:35
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35內(nèi)置Reset WDT電路的串行E2PROM原理及應(yīng)用設(shè)計
CAT24Cxxx是集E2PROM存儲器, 精確復(fù)位控制器和看門狗定時器三種流行功能于一體的芯片。CAT24C161/162（16K），CAT24C081/082（8K），CAT24C041/042（4K）和CAT24C021/022（2K） 主要作為I2C 串行CMOS E2PR
2009-11-18 11:22:0353
53基于FPGA的可靠性E2PROM控制器設(shè)計
E2PROM 是較常用的存儲器件。但在特殊的場合，其可靠性或其使用壽命對系統(tǒng)的正常運行有很大影響。為此介紹了I2C 總線及E2PROM 的工作原理，提出了一種具有較高可靠性的E2PROM 控制
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設(shè)計了一板載同步串行E2PROM編程設(shè)備。計算機、應(yīng)用軟件和物理硬件構(gòu)成系統(tǒng)體系結(jié)構(gòu)，計算機與物理硬件之間采用USB總線互連，即插即用非常方便。重點介紹了物理硬件結(jié)構(gòu)、客
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低電壓甲乙類開關(guān)電流存儲單元
引言 開關(guān)電流存儲單元是電流模式采樣數(shù)據(jù)信號處理系統(tǒng)的基本單元電路，其性能的優(yōu)
2007-08-15 16:06:29563
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內(nèi)帶E2PROM的數(shù)字電位器
數(shù)字控制電位器(DCP)是一種可由外部微處理器等來自由設(shè)定阻值的可變電阻器。與機械式電位器不同，它沒有可動部分，因
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近年來，隨著DSP技術(shù)的普及、高性能DSP芯片的出現(xiàn)，DSP已越來越多地被廣大的工程師所接受，
2010-01-06 14:10:531910
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內(nèi)置Reset_WDT電路的串行E2PROM
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電子專業(yè)單片機相關(guān)知識學(xué)習(xí)教材資料——ARM基礎(chǔ)應(yīng)用實驗04E2PROM存儲器
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。O工P存儲器的種類很多，很多是基于熔絲和反熔絲，本文介紹的O工P存儲器基于反熔絲結(jié)構(gòu)。在反熔絲O工P存儲器中，通過對選中單元的編程改變了存儲單元內(nèi)部的結(jié)構(gòu)。理想的讀機制下，沒有編程的存儲單元讀取時會讀出0，而通過編程的存儲單元在讀取時會讀出1。反
2017-11-07 11:45:2111
11AT24C02串行CMOS E2PROM的使用資料詳解
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是AT24C02串行CMOS E2PROM的使用資料詳解。
2019-06-14 17:44:0010
10存儲單元結(jié)構(gòu)
靜態(tài)RAM的基本構(gòu)造塊是SRAM存儲單元。通過升高字線的電平觸發(fā)存儲單元，再通過位線對所觸發(fā)的存儲單元進行讀出或?qū)懭?。在靜態(tài)CMOS存儲器中，存儲單元陣列將會占去整個存儲器芯片面積的一半以上，在一些
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垂直環(huán)繞柵晶體管可縮小MRAM和RRAM存儲單元！
個名為Row Hammer的頑固安全漏洞。 Spin Memory的垂直環(huán)繞柵晶體管可以縮小MRAM和RRAM存儲單元。 Spin Memory將設(shè)備稱為通用選擇器（Universal
2020-09-04 16:10:132090
2090根據(jù)數(shù)據(jù)存取的方式不同，ram中的存儲單元有幾種
按照數(shù)據(jù)存取的方式不同，ram中的存儲單元分為兩種：靜態(tài)存儲單元一靜態(tài)RAM（SRAM）;動態(tài)存儲單元動態(tài)RAM（DRAM）。 1.靜態(tài)存儲單元（SRAM）：它由電源來維持信息，如觸發(fā)器，寄存器
2020-12-02 14:31:302182
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計算機信息存儲單元的結(jié)構(gòu)解析
數(shù)據(jù)必須首先在計算機內(nèi)被表示，然后才能被計算機處理。計算機表示數(shù)據(jù)的部件主要是存儲設(shè)備；而存儲數(shù)據(jù)的具體單位是存儲單元；因此，了解存儲單元的結(jié)構(gòu)是十分必要的。
2021-01-08 10:03:552269
2269便攜式電子系統(tǒng)中甲乙類存儲單元的應(yīng)用及設(shè)計方案
采用HSPICE分別對設(shè)計的存儲單元、延遲單元和積分器電路進行了仿真，晶體管模型選用TSMC0.18μm標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字工藝參數(shù)。電源電壓為±1 V；輸入電流iin=40μA，信號頻率fin=100 kHz
2021-02-18 10:06:391450
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CSI93CXX系列E2PROM的數(shù)據(jù)手冊免費下載
CSI93C46/56/57/66/86 是一種存儲器可以定義為16 位ORG 引腳接Vcc 或者定義為8 位ORG 引腳接GND 的1K/2K/2K/4K/16K 位的串行E2PROM 每一個
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16MB85RQ4ML作為一種FRAM芯片，它的特點是什么
MB85RQ4ML是一種FRAM（鐵電隨機存取存儲器）芯片，采用524，288字×8位的配置，使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)來形成非易失性存儲單元。采用四路串行外設(shè)接口（QSPI），可使用四個
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STC89C52RC單片機額外篇 | 08 - 認(rèn)識I2C協(xié)議以及E2PROM存儲器（AT24Cxx）
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37【藍(lán)橋杯】單片機學(xué)習(xí)（10）——I2C通信協(xié)議與E2PROM
總線的尋址模式二、I2C總線器件的擴展1、擴展電路2、E2PROM（1）向E2PROM寫數(shù)據(jù)流程（2）從E2PROM讀數(shù)據(jù)流程三、實例一、I2C總線I2C總線是兩線式串行總線，有兩根雙向信號線。一根是數(shù)據(jù)線SDA，一根是時鐘線SCL。I2C總線的特點是：接口方式簡單，兩條線可以掛多個參與通信的
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閃速存儲器(Flash Memory)又稱閃存(Flash)，是一種非易失性存儲器,用存儲單元閾值的高低表示數(shù)據(jù)。浮柵(Floating Gate )場效應(yīng)管(見圖5-80)是Flash存儲單元采用的主要技術(shù)。
2022-08-08 15:46:001076
1076介紹一款超小型封裝尺寸的1Mbit串行FRAM—MB85RS1MT
使用的存儲單元可以執(zhí)行1013次寫/讀操作，大大超過了閃存或E2PROM可以重寫的次數(shù)。不需要像閃存和E2PROM這樣的長寫入時間，并且寫入等待時間為零。 因此，無需等待寫入完成序列。
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