chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

電子發(fā)燒友App

硬聲App

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

電子發(fā)燒友網(wǎng)>汽車電子>英飛凌推出采用新型硅封裝的 CoolGaN? G3晶體管, 推動全行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)程

英飛凌推出采用新型硅封裝的 CoolGaN? G3晶體管, 推動全行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)程

收藏

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴

評論

查看更多

相關(guān)推薦

英飛凌推出全新射頻功率LDMOS晶體管

英飛凌科技推出用于商業(yè)航空電子設(shè)備和雷達(dá)系統(tǒng)的脈沖應(yīng)用和其他類型工業(yè)放大器的高功率晶體管?;谌碌?0V LDMOS工藝技術(shù),全新推出的器件具備高能效、適用于小型系統(tǒng)設(shè)計
2012-07-15 01:23:461461

什么是3d晶體管

什么是3D晶體管?3D晶體管,從技術(shù)上講,應(yīng)該是三個門晶體管。傳統(tǒng)的二維門由較薄的三維鰭(fin)所取代,鰭由基垂直伸出。
2012-08-08 11:12:013333

#參考設(shè)計#緊湊型逆變器,適用于采用 CoolGaN? 晶體管 100 V G3 的低壓電池應(yīng)用

這款適用于低壓電池應(yīng)用的緊湊型逆變器參考設(shè)計包括 12 個 CoolGaN? 晶體管 100 V G3 (IGC033S10S1),采用半橋配置,所有相位有兩個并聯(lián)器件。晶體管
2024-11-28 10:04:03844

英飛凌推出CoolGaN雙向開關(guān)和CoolGaN Smart Sense, 提高功率系統(tǒng)的性能和成本效益

和整流器等。CoolGaN? Smart Sense 產(chǎn)品具有無損電流檢測功能,簡化了設(shè)計并進(jìn)一步降低了功率損耗,同時將各種晶體管開關(guān)功能集成到一個封裝中,適用于
2024-07-09 17:17:171179

英飛凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化鎵功率分立器件

【 2024 年 11 月 20 日 , 德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日宣布推出新型高壓分立器件系列CoolGaN? 650 V G
2024-11-20 18:27:29571

3G無線基站技術(shù)及標(biāo)準(zhǔn)化

3G無線基站技術(shù)及標(biāo)準(zhǔn)化第三代(3G)無線基礎(chǔ)設(shè)施將實現(xiàn)真正的移動接入互聯(lián)網(wǎng)并大幅提高新網(wǎng)絡(luò)的語音容量?,F(xiàn)在還需要進(jìn)一步技術(shù)開發(fā)和標(biāo)準(zhǔn)化,以降低成本和推進(jìn)3G基站收發(fā)信臺的部署工作。 [hide][/hide]
2009-12-12 10:08:40

封裝如何標(biāo)準(zhǔn)化

封裝標(biāo)準(zhǔn)化封裝標(biāo)準(zhǔn)化封裝標(biāo)準(zhǔn)化
2016-11-07 15:45:29

晶體管ON時的逆向電流

TR的情況,除此之外,還有5V以下(突破此耐壓范圍,會發(fā)生hFE低下等特性的劣,請注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性沒有太大的變化關(guān)于封裝功率容許功定義:是指由于輸入晶體管的電壓、電流
2019-04-09 21:27:24

晶體管之間的差異

晶體管之間的差異性:就三極,mos和可控之間的差別和相同點(diǎn)的相關(guān)概念有點(diǎn)模糊,請各位大俠指點(diǎn)?。?!
2016-06-07 23:27:44

晶體管分類及參數(shù)

晶體管分類  按半導(dǎo)體材料和極性分類  按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、NPN型晶體管PNP型晶體管?! “唇Y(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33

晶體管性能的檢測

的hFE檔測量。測量時,應(yīng)先將萬用表置于ADJ檔進(jìn)行調(diào)零后,再撥至hFE檔,將被測晶體管的C、B、E三個引腳分別插入相應(yīng)的測試插孔中(采用TO-3封裝的大功率晶體管,可將其3個電極接出3根引線后,再分
2012-04-26 17:06:32

晶體管晶圓芯片

供應(yīng)晶圓芯片,型號有: 可控, 中、大功率晶體管,13000系列晶體管,達(dá)林頓晶體管,高頻小信號晶體管,開關(guān)二極,肖特基二極,穩(wěn)壓二極等。有意都請聯(lián)系:沈女士***
2020-02-17 16:24:13

晶體管的主要參數(shù)

IC一般不能超出ICM。(3) 集電極最大允許功耗PCMPCM是指晶體管參數(shù)變化不超出規(guī)定允許值時的最大集電極耗散功率。使用晶體管時,實際功耗不允許超過PCM,通常還應(yīng)留有較大余量,因為功耗過大往往是
2018-06-13 09:12:21

晶體管的代表形狀

標(biāo)準(zhǔn)化的產(chǎn)物。4. 按形狀分類根據(jù)功率及安裝形態(tài),決定了晶體管的外形大小和形狀。大體分為引腳型和表面安裝型。
2019-04-10 06:20:24

晶體管的發(fā)展歷程概述

現(xiàn)代社會帶來了巨大的影響。2. 從鍺到最初,晶體管是由鍺(半導(dǎo)體)做成的。但是,鍺具有在80°C左右時發(fā)生損壞的缺點(diǎn),因此現(xiàn)在幾乎都使用。是可以耐180°C左右熱度的物質(zhì)。3. 晶體管的作用
2019-07-23 00:07:18

晶體管的由來

現(xiàn)代社會帶來了巨大的影響。2. 從鍺到最初,晶體管是由鍺(半導(dǎo)體)做成的。但是,鍺具有在80°C左右時發(fā)生損壞的缺點(diǎn),因此現(xiàn)在幾乎都使用。是可以耐180°C左右熱度的物質(zhì)。3. 晶體管的作用
2019-05-05 00:52:40

晶體管簡介

TR的情況,除此之外,還有5V以下(突破此耐壓范圍,會發(fā)生hFE低下等特性的劣,請注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性沒有太大的變化關(guān)于封裝功率容許功定義:是指由于輸入晶體管的電壓、電流
2019-05-09 23:12:18

標(biāo)準(zhǔn)MOSFET功率晶體管的結(jié)構(gòu)/二次擊穿/損耗

,而是JFET!下部晶體管是MOSFET。輸出端的寄生NPN很明顯,其基極被鋁短路;在下部簡化等效電路中,不包含它。中間的電路相當(dāng)完整;所示的3個電容在數(shù)據(jù)手冊中給出?! ≡搱D解釋了在關(guān)斷期間,電流繼續(xù)
2023-02-20 16:40:52

英飛凌700瓦L波段射頻功率晶體管

  導(dǎo)讀:近日,英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業(yè)界最高的L波段輸出功率(700瓦),適用于工作頻率范圍為1200 MHz~1400 MHz的雷達(dá)系統(tǒng)。這種新型器件可通過減少
2018-11-29 11:38:26

采用TO-72封裝NPN RF晶體管BFX89和BFY90

NPN RF晶體管BFX89、BFY90,專為VHF/UHF放大器、振蕩器、轉(zhuǎn)換器應(yīng)用BFX89和BFY90NPN RF晶體管采用TO-72封裝方式封裝。它們的實物如圖1所示,專為VHF/UHF
2019-04-08 01:46:37

AGV行業(yè)水平的提高,產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)化不可少

%的國內(nèi)市場,國內(nèi)AGV需求市場80%-90%都是我們國內(nèi)AGV廠家自主提供的。AGV行業(yè)水平的提高,產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)化不可少目前我國AGV市場競爭劇烈,同質(zhì)嚴(yán)重,價格和質(zhì)量參差不齊,需要統(tǒng)一的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),形成一個
2017-10-10 11:00:43

EMC的國家標(biāo)準(zhǔn)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)及國際標(biāo)準(zhǔn)匯總

EMC的國家標(biāo)準(zhǔn)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)及國際標(biāo)準(zhǔn)有人匯總過嗎?想整理一下
2019-04-18 16:10:23

GaN HEMT可靠性測試:為什么業(yè)界無法就一種測試標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成共識

如果基于GaN的HEMT可靠性的標(biāo)準(zhǔn)化測試方法迫在眉睫,那么制造商在幫助同時提供高質(zhì)量GaN器件方面正在做什么? GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)由于其極高的耐高溫性和高功率密度而在半導(dǎo)體行業(yè)
2020-09-23 10:46:20

MAPRST0912-50雙極晶體管

雙極晶體管MAPRST0912-50產(chǎn)品特性NPN微波功率晶體管金金屬系統(tǒng)擴(kuò)散Emitter Ballasting Resistor高效數(shù)字幾何寬帶C類操作共基極結(jié)構(gòu)符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的密封金屬
2018-08-09 09:57:23

MOSFET和鰭式場效應(yīng)晶體管的不同器件配置及其演變

配置在鰭片和襯底之間有一個絕緣層(BOX 或埋入 OXide 層)(圖 8)。    圖8.SOI 鰭式場效應(yīng)晶體管  體鰭式場效應(yīng)晶體管采用而不是 SOI 晶圓 – 鰭片連接到襯底(圖 9
2023-02-24 15:20:59

MRF1004MB雙極晶體管

MRF1004MB雙極晶體管產(chǎn)品介紹MRF1004MB報價MRF1004MB代理MRF1004MB咨詢熱線MRF1004MB現(xiàn)貨,王先生15989509955 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司
2018-08-09 10:01:09

NPT2020射頻晶體管

鎵或砷化鋁鎵技術(shù)的這類二極。產(chǎn)品型號:NPT2020產(chǎn)品名稱:射頻晶體管NPT2020產(chǎn)品特性GaN上HEMT耗盡型晶體管適合線性和飽和應(yīng)用從直流3.5 GHz調(diào)諧48 V操作3.5 GHz
2018-09-26 09:04:23

NPTB00025B射頻功率晶體管介紹

`產(chǎn)品型號:NPTB00025B產(chǎn)品名稱: 射頻功率晶體管NPTB00025B 產(chǎn)品特性針對DC-4000MHz的寬帶運(yùn)行進(jìn)行了優(yōu)化散熱增強(qiáng)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)包裝100%射頻測試具有高達(dá)32V的工作電壓
2019-11-01 10:46:19

PROFIBUS 技術(shù)及標(biāo)準(zhǔn)化及技術(shù)來由

PROFIBUS 技術(shù)及標(biāo)準(zhǔn)化1.PROFIBUS技術(shù)的由來2.現(xiàn)場總線歐洲標(biāo)準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)3.現(xiàn)場總線國際標(biāo)準(zhǔn) IEC 61158 的形成4.中國現(xiàn)場總線標(biāo)準(zhǔn)化工作的現(xiàn)狀&nbsp
2009-11-17 10:28:16

QPD1018氮化鎵晶體管

HEMT運(yùn)行2.7至3.1 GHz和50V電源軌。該裝置是甘移完全匹配50歐姆的一個行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的氣腔封裝,非常適合于。產(chǎn)品型號: QPD1018產(chǎn)品名稱:氮化鎵晶體管QPD1018產(chǎn)品特性頻率范圍:2.7
2019-07-17 13:58:50

QPD1018氮化鎵晶體管

HEMT運(yùn)行2.7至3.1 GHz和50V電源軌。該裝置是甘移完全匹配50歐姆的一個行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的氣腔封裝,非常適合于軍用雷達(dá)。?產(chǎn)品型號: QPD1018產(chǎn)品名稱:氮化鎵晶體管QPD1018產(chǎn)品特性頻率范圍
2018-07-27 09:06:34

TGF2977-SM氮化鎵晶體管

W(p3db)寬帶GaN-on-SiC HEMT由DC至12 GHz和32v供電軌。該裝置是在一個行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)3x3毫米QFN封裝,非常適合軍用和民用雷達(dá)、地面移動和軍事無線電通信、航空電子設(shè)備
2018-07-25 10:06:15

[推薦]標(biāo)準(zhǔn)信息庫建設(shè)/企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)體系建設(shè)/標(biāo)準(zhǔn)化信息網(wǎng)站管理系統(tǒng)

購買標(biāo)準(zhǔn)的成本和費(fèi)用,為企業(yè)直接產(chǎn)生經(jīng)濟(jì)效益。系統(tǒng)名稱:創(chuàng)智標(biāo)準(zhǔn)化信息網(wǎng)站管理系統(tǒng)系統(tǒng)價格:4998元 系統(tǒng)包含標(biāo)準(zhǔn)文檔數(shù)量:我們會根據(jù)客戶要求整理國家標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)電子版本系統(tǒng)另外包括標(biāo)準(zhǔn)化模板:企業(yè)
2010-08-10 22:51:46

什么是晶體管 晶體管的分類及主要參數(shù)

調(diào)制和振蕩器。晶體管可以獨(dú)立封裝,也可以封裝在非常小的區(qū)域內(nèi),容納1億個或更多晶體管集成電路的一部分。(英特爾 3D 晶體管技術(shù))嚴(yán)格來說,晶體管是指基于半導(dǎo)體材料的所有單一元件,包括由各種半導(dǎo)體材料
2023-02-03 09:36:05

什么是雙向開關(guān)(SBS-雙向觸發(fā)晶體管)

雙向開關(guān)(SBS-雙向觸發(fā)晶體管) 雙向開關(guān)SBS(Silicon bidirectional Switch)也叫雙向觸發(fā)晶體管。它相當(dāng)于把兩只單向開關(guān)反極性并聯(lián),等效電路
2009-04-26 13:27:24

什么是英飛凌創(chuàng)新型智能數(shù)字LED驅(qū)動電源?

的數(shù)字產(chǎn)品和解決方案,在提供高性能表現(xiàn)的產(chǎn)品和系統(tǒng)解決方案的同時,極大的減輕了客戶庫存的壓力和新產(chǎn)品推出的周期,擴(kuò)展了研發(fā)設(shè)計的靈活性。英飛凌照明驅(qū)動IC以其豐富的產(chǎn)品類型,廣泛的拓?fù)浣M合,搭配業(yè)界領(lǐng)先功率晶體管CoolMOS技術(shù),充分滿足了LED驅(qū)動電源設(shè)計的半導(dǎo)體器件選型需求。
2019-10-18 06:23:59

什么是GaN透明晶體管?

的性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于更常見的可視晶體管,如基MOSFET。這歸因于透明晶體管材料的固有物理性質(zhì)差,包括多晶結(jié)構(gòu)、低熱導(dǎo)率、低電子遷移率——在In2O3、ZnO2和SnO2中,遷移率通常僅為100 cm2
2020-11-27 16:30:52

什么是達(dá)林頓晶體管?

功率設(shè)計通常與集成電路 (IC) 邏輯一起使用,以驅(qū)動螺線管、發(fā)光二極 (LED) 顯示器和其他小負(fù)載。  與使用標(biāo)準(zhǔn)晶體管相比,達(dá)林頓晶體管設(shè)計具有多個優(yōu)勢。該對中每個晶體管的增益相乘,從而產(chǎn)生
2023-02-16 18:19:11

國內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)組織啟動量子通信標(biāo)準(zhǔn)化預(yù)研

。中國通信標(biāo)準(zhǔn)化協(xié)會要整合資源、匯聚眾智,共同推動量子通信標(biāo)準(zhǔn)化工作。一是標(biāo)準(zhǔn)引領(lǐng),支撐發(fā)展,盡快推出一批產(chǎn)業(yè)發(fā)展急需、具有重要應(yīng)用和推廣價值的標(biāo)準(zhǔn),支撐量子通信技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展。二是勇于創(chuàng)新
2017-06-19 10:34:39

國外晶體管封裝形式

S-l、S-4的封裝外形基本相同;TO一220封裝外形與國產(chǎn)S一7B封裝外形基本相同;T0一202封裝外形與國產(chǎn)S一6封裝外形基本相同?! ?b class="flag-6" style="color: red">采用TO系列封裝的常用晶體管有:T0一3為:2SD869
2008-06-17 14:42:50

場效應(yīng)是一種什么元件而晶體管是什么元件

制作材料分,晶體管可分為鍺兩種。 按極性分,三極管有PNP和NPN兩種,而二極管有P型和N型之分。多數(shù)國產(chǎn)管用xxx表示,其中每一位都有特定含義:如 3 A X 31,第一位3代表三極,2
2012-07-11 11:36:52

基于晶體管模糊電路

描述EarthQuaker Devices 污垢發(fā)射器基于晶體管模糊電路。除了標(biāo)準(zhǔn)的 Tone、Level 和 Dirt 旋鈕外,Dirt Transmitter 還具有一個 Bias 旋鈕,用于模擬快要耗盡的電池的電壓不足,以獲得類似 Velcro 的絨毛音調(diào)。PCB+原理圖
2022-08-10 06:40:23

基本晶體管開關(guān)電路,使用晶體管開關(guān)的關(guān)鍵要點(diǎn)

,導(dǎo)致流過晶體管的電流為零的大耗盡層。在這種情況下,晶體管被關(guān)閉?! 〗財鄥^(qū)域特征如下所示:    圖3.截斷區(qū)域特征。圖片由Simon Munyua Mugo提供  晶體管操作類似于單刀單擲固態(tài)開關(guān)
2023-02-20 16:35:09

新材料3D晶體管有望帶來效率更高的芯片,更輕的筆記本電腦

` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:04 編輯 來自普渡大學(xué)和哈佛大學(xué)的研究人員制作出一種新型晶體管,所使用的材料有望取代,并且采用了立體結(jié)構(gòu),而非傳統(tǒng)的平板結(jié)構(gòu)。這種
2011-12-08 00:01:44

無鉛工藝的標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)展(續(xù)完

【摘要】:無鉛工藝是一個技術(shù)涉及面極廣的制造過程,包涵設(shè)計、材料、設(shè)備、工藝與可靠性等技術(shù)。因此,無鉛工藝的標(biāo)準(zhǔn)化工作需要全行業(yè)眾多和研究機(jī)構(gòu)的共同努力。工藝相關(guān)要素的標(biāo)準(zhǔn)化可以大大降低生產(chǎn)成本
2010-04-24 10:08:34

是否有為SAM創(chuàng)建主密鑰的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)方法?

密鑰的跟蹤器。 我計劃使用 CPU 的 ID 作為 SAM 主密鑰,以便將它們綁定在一起 是否有為 SAM 創(chuàng)建主密鑰的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)方法?
2023-05-18 14:53:23

概述晶體管

標(biāo)準(zhǔn)化的產(chǎn)物。4. 按形狀分類根據(jù)功率及安裝形態(tài),決定了晶體管的外形大小和形狀。大體分為引腳型和表面安裝型。
2019-05-05 01:31:57

消費(fèi)類電子大功率空中交通控制的RF功率晶體管

,而且縮小器尺寸比運(yùn)用雙極結(jié)晶體管(SiBJT)或橫向分散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)器件的產(chǎn)品減小50%    封裝和供貨:    2729GN-500晶體管采用單端封裝供貨,在密封的焊料密封封裝
2012-12-06 17:09:16

電流旁路對GaN晶體管并聯(lián)配置的影響

特性,我們將首先從GaN器件驅(qū)動電路設(shè)計開始介紹?! ≌_設(shè)計驅(qū)動電路  諸如英飛凌科技 CoolGaN?600 V HEMT之類的GaN晶體管采用了柵極p型摻雜工藝,這會將器件的柵極閾值電壓轉(zhuǎn)換
2021-01-19 16:48:15

英飛凌推出全球最小的納米晶體管

 英飛凌科技公司(Infineon),設(shè)在慕尼黑的實驗室最近取得了新的突破——這里的研究人員成功開發(fā)出全球最小的納米晶體管,其溝槽長度僅為18納米,幾乎是當(dāng)前最先進(jìn)的晶
2006-03-11 22:10:391126

晶體管與鍺晶體管的識別及區(qū)分方法

晶體管與鍺晶體管的識別及區(qū)分方法 將萬用表撥至R×1k檔。對于PNP型,黑表筆接發(fā)射極E,
2008-10-19 09:47:349057

通過外形標(biāo)志和標(biāo)準(zhǔn)封裝代號判別常用晶體管的引腳排列

通過外形標(biāo)志和標(biāo)準(zhǔn)封裝代號判別常用晶體管的引腳排列在晶體管的產(chǎn)品治療說明或工具書中,常常只給晶體管封裝代號,這些晶體管的引腳排列都是符合
2009-07-31 17:24:331838

晶體管分類

晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類   按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體
2009-11-05 10:48:534617

3G標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)展與市場發(fā)展

3G標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)展與市場發(fā)展 摘要:簡要介紹了第三代移動通信的發(fā)展歷程、主流技術(shù)特點(diǎn)和最新標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)展,以及我國第三代移動通
2009-12-14 16:39:13739

多晶硅發(fā)射極晶體管,多晶硅發(fā)射極晶體管是什么意思

多晶硅發(fā)射極晶體管,多晶硅發(fā)射極晶體管是什么意思 多晶是單質(zhì)的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)在過冷條件下凝固時,原子以金剛
2010-03-05 11:08:271787

晶體管和可控封裝形式

晶體管和可控封裝形式
2010-03-05 15:07:342376

英飛凌創(chuàng)新型650V CoolMOS CFD2高壓晶體管

英飛凌目前正推出另一項重要的創(chuàng)新型高壓CoolMOS MOSFET。這種全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極的高壓晶體管。
2011-02-16 09:11:172016

22納米3D晶體管技術(shù)

Intel在微處理器晶體管設(shè)計上取得重大突破,沿用50多年的傳統(tǒng)晶體管將實現(xiàn)3D架構(gòu),一款名為Tri-Gate的晶體管技術(shù)得到實現(xiàn)。 3D Tri-Gate晶體管使用了一個微薄的三維鰭片取代了傳統(tǒng)
2011-10-25 09:35:401468

高頻PNP晶體管3CG120高溫失效機(jī)理研究

為了保證在高溫條件下,正確使用高頻PNP晶體管3CG120,文中對3CG120在不同溫度段的失效機(jī)理進(jìn)行了研究。通過對PNP型晶體管3CG120進(jìn)行170~340 ℃溫度范圍內(nèi)序進(jìn)應(yīng)力加速壽命試驗,發(fā)
2012-07-11 14:59:130

LED照明行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化四大瓶頸

近年來相關(guān)部委和標(biāo)準(zhǔn)化組織都開展了標(biāo)準(zhǔn)制定工作。目前已經(jīng)發(fā)布實施的與LED產(chǎn)品相關(guān)的國家標(biāo)準(zhǔn)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)共70余項、已立項或正在制定中的國家標(biāo)準(zhǔn)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)共50余項。
2012-09-17 15:47:01910

Diodes公司推出行業(yè)最小雙極型晶體管

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出行業(yè)首款采用了DFN0806-3微型封裝的小信號雙極型晶體管。這些器件的占位面積為0.48mm2,離板厚度僅0.4mm,面積比采用了DFN1006、SOT883和SOT1123封裝的同類型器件少20%。
2013-08-06 12:26:271330

中國鐵塔緊跟5G標(biāo)準(zhǔn)化步伐推動5G共享型數(shù)字室分產(chǎn)品創(chuàng)新及標(biāo)準(zhǔn)化

當(dāng)前,5G進(jìn)程加速,投資規(guī)模將十分巨大,需要更好地發(fā)揮標(biāo)準(zhǔn)化工作在降低行業(yè)成本、支撐產(chǎn)業(yè)協(xié)同、推動科技進(jìn)步方面的作用,也需要更好發(fā)揮中國鐵塔的統(tǒng)籌共享作用,深挖共享潛力,釋放共享紅利,快速經(jīng)濟(jì)高效地建設(shè)5G基礎(chǔ)設(shè)施。
2019-05-17 09:54:571440

通信行業(yè)Release16標(biāo)準(zhǔn)的制定對健全5G功能至關(guān)重要

奚國華指出,通信行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化非常重要,我們見證了從2G、3G、4G到5G標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)程,從3G的多元標(biāo)準(zhǔn),4G兩元標(biāo)準(zhǔn),到5G世界統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn),這是一個偉大的進(jìn)展。
2019-11-24 09:45:123042

5G行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)布將全面推動5G商用進(jìn)程加速

1月9日,中國首批14項5G核心標(biāo)準(zhǔn)在中國通信標(biāo)準(zhǔn)化協(xié)會(CCSA)主辦的“5G標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布及產(chǎn)業(yè)推動大會”上發(fā)布,這些5G標(biāo)準(zhǔn)涵蓋核心網(wǎng)、無線接入網(wǎng)、承載網(wǎng)、天線、終端、安全、電磁兼容等領(lǐng)域。
2020-01-14 09:46:11899

SPTECHNPN功率晶體管2SD850-TO-3規(guī)格書

SPTECHNPN功率晶體管2SD850-TO-3規(guī)格書
2021-12-15 10:05:111

SPTECHNPN功率晶體管2SD905-TO-3規(guī)格書

SPTECHNPN功率晶體管2SD905-TO-3規(guī)格書
2021-12-15 11:03:046

SPTECHNPN功率晶體管2SD1026-3PN規(guī)格書

SPTECHNPN功率晶體管2SD1026-3PN規(guī)格書
2021-12-15 13:56:4410

SPTECHNPN功率晶體管2SD1027-3PN規(guī)格書

SPTECHNPN功率晶體管2SD1027-3PN規(guī)格書
2021-12-15 13:59:126

SPTECHNPN功率晶體管2SD1435-3PN規(guī)格書

SPTECHNPN功率晶體管2SD1435-3PN規(guī)格書
2021-12-17 09:46:109

SPTECHNPN功率晶體管2SD1559-3PN規(guī)格書

SPTECHNPN功率晶體管2SD1559-3PN規(guī)格書
2021-12-18 09:19:5010

SPTECHNPN功率晶體管2SD1662-3PN規(guī)格書

SPTECHNPN功率晶體管2SD1662-3PN規(guī)格書
2021-12-18 14:42:473

SPTECHNPN功率晶體管2N3771-TO-3規(guī)格書.pdf

SPTECHNPN功率晶體管2N3771-TO-3規(guī)格書.pdf
2021-12-24 14:26:002

SPTECHNPN功率晶體管2SC1226-220c3產(chǎn)品手冊

SPTECHNPN功率晶體管2SC1226-220c3產(chǎn)品手冊
2022-03-10 15:39:404

英飛凌推出采用PQFN 2x2封裝的OptiMOSTM 5 25V和30V功率MOSFET,樹立技術(shù)新標(biāo)準(zhǔn)

英飛凌科技近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列,旨在為分立功率MOSFET技術(shù)樹立全新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
2022-03-14 17:39:161912

SPTECHNPN功率晶體管2SC2792-3PL手冊免費(fèi)

SPTECHNPN功率晶體管2SC2792-3PL手冊免費(fèi)
2022-06-14 11:17:241

SPTECHNPN功率晶體管2SC2792-3PN手冊免費(fèi)

SPTECHNPN功率晶體管2SC2792-3PN手冊免費(fèi)
2022-06-14 11:16:461

SPTECHNPN功率晶體管2SC2908-3PN英文手冊

SPTECHNPN功率晶體管2SC2908-3PN英文手冊免費(fèi)下載。
2022-06-21 16:02:551

SPTECHNPN功率晶體管2SC2987A-TO-3PML

SPTECHNPN功率晶體管2SC2987A-TO-3PML英文手冊
2022-06-21 14:57:531

SPTECHNPN功率晶體管2SC2987A-TO-3PN英文手冊

SPTECHNPN功率晶體管2SC2987A-TO-3PN英文手冊
2022-06-21 14:56:593

SPTECHNPN功率晶體管2SC3182N-3PN英文手冊

SPTECHNPN功率晶體管2SC3182N-3PN英文手冊免費(fèi)下載。
2022-06-24 15:06:231

SPTECHNPN功率晶體管2SC3220-3PN英文手冊

SPTECHNPN功率晶體管2SC3220-3PN英文手冊免費(fèi)下載。
2022-06-23 15:54:330

SPTECHNPN功率晶體管2SC3281-3PN英文手冊

SPTECHNPN功率晶體管2SC3281-3PN英文手冊
2022-06-23 15:37:060

SPTECHNPN功率晶體管2SC3306-3PI英文手冊

SPTECHNPN功率晶體管2SC3306-3PI英文手冊
2022-06-22 16:47:450

SPTECHNPN功率晶體管2SC3322-3PN英文手冊

SPTECHNPN功率晶體管2SC3322-3PN英文手冊免費(fèi)下載。
2022-06-22 15:32:080

SPTECHNPN功率晶體管2SC3527-3PML英文手冊

SPTECHNPN功率晶體管2SC3527-3PML英文手冊
2022-07-27 16:14:432

英飛凌CoolGaN技術(shù)開啟電力電子新時代?

英飛凌的總體戰(zhàn)略是將當(dāng)今的每一項尖端技術(shù)與寬帶對應(yīng)技術(shù)相結(jié)合?;谑袌錾弦呀?jīng)推出的 CoolSiC? 技術(shù),英飛凌推出了全新的 CoolGaN? 解決方案,這些解決方案完善了 CoolMOS
2022-08-09 09:45:111132

SPTECHNPN功率晶體管2SC3949 3pml英文手冊

SPTECHNPN功率晶體管2SC3949-3pml英文手冊免費(fèi)下載。
2022-09-30 09:50:270

SPTECHNPN功率晶體管2SC4057 3PN英文手冊

SPTECHNPN功率晶體管2SC4057-3PN英文手冊免費(fèi)下載。
2022-09-30 09:24:440

SPTECHNPN功率晶體管2SC4058 3PN英文手冊

SPTECHNPN功率晶體管2SC4058-3PN英文手冊免費(fèi)下載。
2022-09-30 09:24:060

SPTECHNPN功率晶體管2SC4059 3PN英文手冊

SPTECHNPN功率晶體管2SC4059-3PN英文手冊免費(fèi)下載。
2022-09-30 09:23:240

SPTECHNPN功率晶體管2SC4060 3PN英文手冊

SPTECHNPN功率晶體管2SC4060-3PN英文手冊免費(fèi)下載。
2022-09-30 09:21:200

SPTECHNPN功率晶體管2SC5352 3PN英文手冊

SPTECHNPN功率晶體管2SC5352-3PN英文手冊免費(fèi)下載。
2022-09-29 14:22:250

助力激光電視行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化發(fā)展,海信參與并推動多項標(biāo)準(zhǔn)制定

研發(fā)激光電視之初,海信就積極推動激光顯示產(chǎn)業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)制定,截止目前,海信已累計推動6項國際標(biāo)準(zhǔn),2項行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和13項團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)的制定發(fā)布,是激光顯示標(biāo)準(zhǔn)的領(lǐng)跑者,充分彰顯出海信深耕激光顯示技術(shù)的決心與毅力,和共同奔赴消費(fèi)者體驗科技進(jìn)步帶來的
2022-10-18 17:45:371001

P3.064C:3 引腳小外形晶體管塑料封裝 (SOT89-3)

P3.064C:3 引腳小外形晶體管塑料封裝 (SOT89-3)
2023-01-12 18:43:400

P3.064C:3 引腳小外形晶體管塑料封裝(SOT89-3)

P3.064C:3 引腳小外形晶體管塑料封裝 (SOT89-3)
2023-07-03 18:35:340

Nexperia推出采用DFN2020D-3封裝的功率雙極結(jié)型晶體管

全球基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia(安世半導(dǎo)體)近期宣布了一項重要產(chǎn)品擴(kuò)展計劃,其備受歡迎的功率雙極結(jié)型晶體管(BJT)系列再添新成員。此次,Nexperia隆重推出了二十款新型
2024-09-03 14:28:57521

英飛凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化鎵功率分立器件

英飛凌近日宣布推出新型高壓分立器件系列CoolGaN650VG5晶體管,該系列進(jìn)一步豐富了英飛凌氮化鎵(GaN)產(chǎn)品組合。該新產(chǎn)品系列的適用范圍廣泛,包括USB-C適配器和充電器、照明、電視
2024-11-28 01:00:46313

搶先領(lǐng)??!高壓CoolGaN? GIT HEMT可靠性白皮書推薦

高壓CoolGaNGITHEMT(高電子遷移率晶體管)可靠性和驗證的白皮書共33頁,被翻譯成中文和日文,主要介紹了英飛凌如何實現(xiàn)CoolGaN技術(shù)和器件使用壽命,且大幅超過標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定,詳細(xì)闡述了
2024-12-18 17:20:15280

已全部加載完成