在22nm，或許是16nm節(jié)點(diǎn)，我們將需要全新的晶體管。而在這其中，爭(zhēng)論的焦點(diǎn)在于究竟該采用哪一種技術(shù)。這場(chǎng)比賽將關(guān)乎到晶體管的重新定義。在22/20nm邏輯制程的開(kāi)發(fā)中，業(yè)界都爭(zhēng)先
2012-03-06 10:08:16
2292 據(jù)香港《南華早報(bào)》網(wǎng)站5月27日?qǐng)?bào)道，現(xiàn)如今，市場(chǎng)上最先進(jìn)的計(jì)算機(jī)芯片使用7納米晶體管。中國(guó)科學(xué)院微電子研究所微電子設(shè)備與集成技術(shù)領(lǐng)域的專(zhuān)家殷華湘說(shuō)，他的團(tuán)隊(duì)已經(jīng)研發(fā)出3納米晶體管——相當(dāng)于一條人類(lèi)DNA鏈的寬度，在一個(gè)指甲蓋大小的芯片上能安裝數(shù)百億個(gè)這種晶體管。
2019-05-28 11:33:062837 在9月的臺(tái)灣SEMICON國(guó)際半導(dǎo)體展上，臺(tái)積電（TSMC）首席執(zhí)行官M(fèi)ark Lui認(rèn)為摩爾定律仍然有效。他表示，由于先進(jìn)工藝技術(shù)（如納米片）或3D FinFETS中的全柵晶體管技術(shù)的發(fā)展
2019-10-15 15:11:026162 什么是3D晶體管？3D晶體管，從技術(shù)上講，應(yīng)該是三個(gè)門(mén)晶體管。傳統(tǒng)的二維門(mén)由較薄的三維硅鰭（fin）所取代，硅鰭由硅基垂直伸出。
2012-08-08 11:12:013657 Achronix Semiconductor公司今日宣布：公司已開(kāi)始將其業(yè)界領(lǐng)先的Speedster?22i HD1000可編程邏輯器件（FPGA）發(fā)運(yùn)給客戶(hù)。該器件采用英特爾領(lǐng)先的22納米3D
2013-02-21 15:00:591594 目前3D晶體管成為代工產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)關(guān)注的技術(shù)，但很多人關(guān)于這個(gè)技術(shù)的細(xì)節(jié)不是很了解，我們?cè)谶@里介紹一下。
2015-12-28 14:34:1212814 
臺(tái)積電共同執(zhí)行長(zhǎng)劉德音先前在出席活動(dòng)時(shí)才透露，目前已組成團(tuán)隊(duì)著手3 納米研發(fā)，業(yè)界一片驚奇，而且現(xiàn)在不只3 納米，1 納米也來(lái)了！隸屬美國(guó)能源部的勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室Ali Javey 團(tuán)隊(duì)即宣稱(chēng)，突破了物理極限，成功創(chuàng)造1 納米晶體管。
2016-10-08 14:51:212833 
近日公布2011年“科技創(chuàng)新獎(jiǎng)”，英特爾的3-D三柵極晶體管設(shè)計(jì)獲得半導(dǎo)體類(lèi)別創(chuàng)新大獎(jiǎng)。英特爾的3-D三柵極晶體管結(jié)構(gòu)代表著從2-D平面晶體管結(jié)構(gòu)的根本性轉(zhuǎn)變
2011-10-23 01:01:041184 2012年4月23日，英特爾宣布采用3D三柵極晶體管設(shè)計(jì)，最小線寬為22納米的Ivy Bridge微處理器量產(chǎn)成功，并于4月29日開(kāi)始全球銷(xiāo)售。
2012-05-13 09:35:434929 其實(shí)早在2002年Intel即發(fā)現(xiàn)了這一技術(shù)，一直處于試驗(yàn)演示階段，現(xiàn)在終于把它變成了現(xiàn)實(shí)，Intel打算把它融入到22nm的“Ivy Bridge”芯片，Ivy Bridge晶體管的數(shù)量將達(dá)到10億。
2020-04-07 09:01:21
3D顯示技術(shù)的原理是什么？3D顯示技術(shù)有哪些應(yīng)用？3D拍好了到底怎么樣傳輸？
2021-05-31 06:53:03
晶體管技術(shù)方案面臨了哪些瓶頸？
2021-05-26 06:57:13
晶體管分類(lèi) 按半導(dǎo)體材料和極性分類(lèi) 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管?！ “唇Y(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
晶體管參數(shù)測(cè)量技術(shù)報(bào)告摘 要晶體管的參數(shù)是用來(lái)表征管子性能優(yōu)劣和適應(yīng)范圍的指標(biāo)，是選管的依據(jù)。為了使管子安全可靠的工作，必須注意它的參數(shù)。本文主要論述以AduC812為核心的晶體管參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，該系
2012-08-02 23:57:09
的hFE檔測(cè)量。測(cè)量時(shí)，應(yīng)先將萬(wàn)用表置于ADJ檔進(jìn)行調(diào)零后，再撥至hFE檔，將被測(cè)晶體管的C、B、E三個(gè)引腳分別插入相應(yīng)的測(cè)試插孔中（采用TO-3封裝的大功率晶體管，可將其3個(gè)電極接出3根引線后，再分
2012-04-26 17:06:32
晶體管測(cè)量模塊的基本特性有哪些？晶體管測(cè)量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
從事電子設(shè)計(jì)7年了，發(fā)覺(jué)這兩本書(shū)挺好的，發(fā)上來(lái)給大家分享一下附件晶體管電路設(shè)計(jì)（上）放大電路技術(shù)的實(shí)驗(yàn)解析.pdf42.5 MB晶體管電路設(shè)計(jì)（下）FET_功率MOS_開(kāi)關(guān)電路的實(shí)驗(yàn)解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開(kāi)關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來(lái)帶來(lái)了前所未有的沖擊。而且，正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開(kāi)端。之后以計(jì)算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-07-23 00:07:18
有效芯片面積的增加，(2)技術(shù)上的簡(jiǎn)化，(3)晶體管的復(fù)合——達(dá)林頓，(4)用于大功率開(kāi)關(guān)的基極驅(qū)動(dòng)技術(shù)的進(jìn)步。、直接工作在整流380V市電上的晶體管功率開(kāi)關(guān)晶體管復(fù)合(達(dá)林頓)和并聯(lián)都是有效地增加
2018-10-25 16:01:51
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來(lái)帶來(lái)了前所未有的沖擊。而且，正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開(kāi)端。之后以計(jì)算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-05-05 00:52:40
）用業(yè)收集電子。晶體管的發(fā)射極電流IE與基極電流IB、集電極電流IC之間的關(guān)系如下：IE=IB+IC3．晶體管的工作條件晶體管屬于電流控制型半導(dǎo)體器件，其放大特性主要是指電流放大能力。所謂放大，是指當(dāng)
2013-08-17 14:24:32
圖像中放、伴音中放、緩沖放大等）電路中使用的高頻晶體管，可以選用特征頻率范圍在30~300MHZ的高頻晶體管，例如3DG6、3DG8、3CG21、2SA1015、2SA673、2SA733、S9011
2012-01-28 11:27:38
【不懂就問(wèn)】圖中的晶體管驅(qū)動(dòng)電路，在變壓器Tr的副邊輸出電阻R3上并聯(lián)的二極管D2，說(shuō)D2的作用是在輸入端有正脈沖輸入時(shí)使得變壓器次級(jí)產(chǎn)生的的正脈沖通過(guò)D2，直接驅(qū)動(dòng)MOSFET管Q2，達(dá)到提高導(dǎo)
2018-07-09 10:27:34
是碳化硅（SiC）襯底上的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。這種GaN內(nèi)匹配（IM）場(chǎng)效應(yīng)晶體管與其他技術(shù)相比，提供了優(yōu)異的功率附加效率。GaN與硅或砷化鎵相比具有更高的性能，包括更高
2018-08-13 10:58:03
Finfet技術(shù)（3D晶體管）詳解
2012-08-19 10:46:17
JY-3晶體管測(cè)試儀技術(shù)說(shuō)明書(shū)
2012-08-03 00:00:14
。圖片：D. Hisamoto等人，1990年 英特爾在 2012 年宣布使用批量配置（22 納米技術(shù)）（圖 11）。 圖 11.英特爾的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管。圖片：英特爾公司 一些基本功能
2023-02-24 15:20:59
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來(lái)代替，MFR151管子能用哪個(gè)來(lái)代替？或是誰(shuí)有這兩個(gè)高頻管子的原件庫(kù)？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
本帖最后由 王棟春 于 2021-1-5 22:40 編輯
《晶體管電路設(shè)計(jì)與制作》是“圖解實(shí)用電子技術(shù)叢書(shū)”之一。本書(shū)首先對(duì)各種模擬電路的設(shè)計(jì)和制作進(jìn)行詳細(xì)敘述；然后利用可在微機(jī)
2021-01-05 22:38:36
與銷(xiāo)售集團(tuán)總裁Stacy Smith英特爾公司執(zhí)行副總裁兼制造、運(yùn)營(yíng)與銷(xiāo)售集團(tuán)總裁Stacy Smith全球首次展示“Cannon Lake”10納米晶圓，采用超微縮技術(shù)，擁有世界上最密集的晶體管和最小
2017-09-22 11:08:53
片晶體管通?；?b class="flag-6" style="color: red">納米片堆疊技術(shù)，納米片作為晶體管的溝道部分，其厚度和寬度可以精確控制，以實(shí)現(xiàn)更好的靜電控制和更高的驅(qū)動(dòng)電流。叉片晶體管可以實(shí)現(xiàn)垂直堆疊，即多個(gè)晶體管層疊在一起。這種堆疊方式進(jìn)一步提高了
2025-06-20 10:40:07
世界首款3D芯片工藝即將由無(wú)晶圓半導(dǎo)體公司BeSang授權(quán)。 BeSang制造了一個(gè)示范芯片，在邏輯控制方面包含1.28億個(gè)縱向晶體管的記憶存儲(chǔ)單元。該芯片由韓國(guó)國(guó)家Nanofab和斯坦福
2008-08-18 16:37:37
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
當(dāng)3D電影已成為影院觀影的首選，當(dāng)3D打印已普及到雙耳無(wú)線藍(lán)牙耳機(jī)，一種叫“3D微波”的技術(shù)也悄然而生。初次聽(tīng)到“3D微波”，你可能會(huì)一臉茫然，這個(gè)3D微波是應(yīng)用在哪個(gè)場(chǎng)景？是不是用這種技術(shù)的微波爐1秒鐘就能把飯煮熟？O M G!我覺(jué)得很有必要給大家科普一下！
2019-07-02 06:30:41
調(diào)制和振蕩器。晶體管可以獨(dú)立封裝，也可以封裝在非常小的區(qū)域內(nèi)，容納1億個(gè)或更多晶體管集成電路的一部分。（英特爾 3D 晶體管技術(shù)）嚴(yán)格來(lái)說(shuō)，晶體管是指基于半導(dǎo)體材料的所有單一元件，包括由各種半導(dǎo)體材料
2023-02-03 09:36:05
顯示器和透明太陽(yáng)能電池板產(chǎn)品的出現(xiàn)?！ ≡谠S多透明電子系統(tǒng)中，晶體管都是至關(guān)重要的部件。如今，這種器件通常是薄膜晶體管形式，由In2O3、ZnO2、SnO2等透明導(dǎo)電氧化物材料制成?！ 〔贿^(guò)，薄膜晶體管
2020-11-27 16:30:52
達(dá)林頓晶體管是一對(duì)雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結(jié)果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進(jìn)一步放大
2023-02-16 18:19:11
電場(chǎng)控制材料的電導(dǎo)率?！ ■捠綀?chǎng)效應(yīng)晶體管是一種非平面器件，即不受單個(gè)平面的限制。它也被稱(chēng)為3D，因?yàn)榫哂械谌S度?！ 楸苊饣煜?，必須了解不同的文獻(xiàn)在提及鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件時(shí)使用不同的標(biāo)簽
2023-02-24 15:25:29
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請(qǐng)問(wèn)誰(shuí)有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
，導(dǎo)致流過(guò)晶體管的電流為零的大耗盡層。在這種情況下，晶體管被關(guān)閉?！ 〗?cái)鄥^(qū)域特征如下所示： 圖3.截?cái)鄥^(qū)域特征。圖片由Simon Munyua Mugo提供 晶體管操作類(lèi)似于單刀單擲固態(tài)開(kāi)關(guān)
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們?cè)谛吞?hào)上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）?，F(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些？
2017-10-11 23:53:40
晶體管為保持ON狀態(tài)的最低電壓、定義VI(on)為min錯(cuò)誤觀點(diǎn)1：由0開(kāi)始依次加入輸入電壓。2：達(dá)到1.8V時(shí)，數(shù)字晶體管啟動(dòng)。3：因在規(guī)格書(shū)規(guī)定的3V(min) 以下，故判斷為不合格。正確觀點(diǎn)A
2019-04-22 05:39:52
混淆VI(on): 數(shù)字晶體管為保持ON狀態(tài)的最低電壓、定義VI(on)為min錯(cuò)誤觀點(diǎn)1：由0開(kāi)始依次加入輸入電壓。2：達(dá)到1.8V時(shí)，數(shù)字晶體管啟動(dòng)。3：因在規(guī)格書(shū)規(guī)定的3V(min) 以下，故
2019-04-09 21:49:36
急需一種流動(dòng)性更強(qiáng)的新材料來(lái)替代硅。三五族材料砷化銦鎵就是候選半導(dǎo)體之一，普渡大學(xué)通過(guò)這種材料做出了全球首款3D環(huán)繞閘極(gate-all-around)晶體管。此外，三五族合金納米管將把閘極長(zhǎng)度
2011-12-08 00:01:44
（電阻器）組成。構(gòu)成晶體管的硅是形成地球的巖石中大量含有的物質(zhì)。因此，晶體管也俗稱(chēng)"石"，設(shè)計(jì)者常用"…之石"的叫法3. 按集成度分類(lèi)為滿足客戶(hù)需求，ROHM在分立式
2019-05-05 01:31:57
效率和功率密度。GaN功率晶體管作為一種成熟的晶體管技術(shù)在市場(chǎng)上確立了自己的地位，但在軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用中通常不被考慮使用。雖然在硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中使用GaN可以顯著提高效率，但軟開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器（如LLC）對(duì)效率和頻率
2023-02-27 09:37:29
3D視覺(jué)技術(shù)有何作用？常見(jiàn)的3D視覺(jué)方案主要有哪些？
2021-11-09 07:46:56
正在從二維走向三維世界——芯片設(shè)計(jì)、芯片封裝等環(huán)節(jié)都在向3D結(jié)構(gòu)靠攏。晶體管架構(gòu)發(fā)生了改變當(dāng)先進(jìn)工藝從28nm向22nm發(fā)展的過(guò)程中，晶體管的結(jié)構(gòu)發(fā)生了變化——傳統(tǒng)的平面型晶體管技術(shù)（包括體硅技術(shù)
2020-03-19 14:04:57
的GAA晶體管結(jié)構(gòu)，三星通過(guò)使用納米片設(shè)備制造出MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場(chǎng)效應(yīng)管），該技術(shù)可以顯著增強(qiáng)晶體管性能，取代FinFET晶體管技術(shù)。 此外，MBCFET技術(shù)還能兼容現(xiàn)有的FinFET制造工藝的技術(shù)及設(shè)備，從而加速工藝開(kāi)發(fā)及生產(chǎn)。
2020-07-07 11:36:10
這個(gè)達(dá)林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:10 編輯
高清圖詳解英特爾最新22nm 3D晶體管
2012-08-05 21:48:28
高清圖詳解英特爾最新22nm_3D晶體管
2012-08-02 23:58:43
晶體管實(shí)驗(yàn):實(shí)驗(yàn)一 三極晶體管與場(chǎng)效應(yīng)晶體管的特性圖示一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?.掌握半導(dǎo)體管特性圖示儀的使用方法。2.掌握測(cè)量晶體管輸入輸出特性的測(cè)量方法。3.觀察、了
2009-03-06 14:08:16
37 英飛凌科技公司（Infineon），設(shè)在慕尼黑的實(shí)驗(yàn)室最近取得了新的突破——這里的研究人員成功開(kāi)發(fā)出全球最小的納米晶體管，其溝槽長(zhǎng)度僅為18納米，幾乎是當(dāng)前最先進(jìn)的晶
2006-03-11 22:10:391263 晶體管（transistor）
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5納米工藝的四核處理器已能容納8億個(gè)晶體管
2009-11-05 10:34:251669 晶體管出現(xiàn)的意義
晶體管的出現(xiàn)，是電子技術(shù)之樹(shù)上綻開(kāi)的一朵絢麗多彩的奇葩。 同電子管相比，晶體管具有諸多優(yōu)越性： ?、?b class="flag-6" style="color: red">晶體管的構(gòu)
2009-11-05 10:46:473960 CMOS晶體管,CMOS晶體管是什么意思
金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡(jiǎn)稱(chēng)MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分
2010-03-05 15:22:514129 在本周于舊金山召開(kāi)的英特爾開(kāi)發(fā)者大會(huì)(IDF)中，英特爾將再揭示其采用三柵極(tri-gate)3D晶體管技術(shù)的22nm元件細(xì)節(jié)，并進(jìn)一步說(shuō)明超輕薄筆電(Ultrabook)的超薄、超低功耗設(shè)計(jì)概念。
2011-09-16 09:23:431145 晶體管是現(xiàn)代電子學(xué)的基石，而Intel 此舉堪稱(chēng)晶體管歷史上最偉大的里程碑式發(fā)明，甚至可以說(shuō)是重新發(fā)明了晶體管。半個(gè)多世紀(jì)以來(lái)，晶體管一直都在使用2-D 平面結(jié)構(gòu)，現(xiàn)在終于邁入
2012-01-18 15:28:52147 來(lái)自IBM、蘇黎世理工學(xué)院和美國(guó)普渡大學(xué)的工程師近日表示，他們構(gòu)建出了首個(gè)10納米以下的碳納米管(CNT)晶體管
2012-02-04 09:45:291105 Achronix 半導(dǎo)體公司今日宣布了其 Speedster22i HD和HP產(chǎn)品系列的細(xì)節(jié)，它們是將采用英特爾22nm 3D晶體管技術(shù)工藝制造的首批現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列（FPGA）產(chǎn)品。Speedster22i FPGA產(chǎn)品是業(yè)內(nèi)唯一
2012-04-25 09:12:051560 為了在硅芯片上擠入更多的元件，英特爾已開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)基于3-D晶體管的處理器。這一舉動(dòng)不僅延長(zhǎng)了摩爾定律(根據(jù)該定律，每塊芯片上的晶體管數(shù)量每?jī)赡昃蜁?huì)翻一番)的壽命
2012-07-09 11:11:341346 
《晶體管精華集錦》技術(shù)專(zhuān)題主要介紹了晶體管新品資訊、晶體管原理、晶體管手冊(cè)、晶體管電路圖、晶體管電路設(shè)計(jì)、晶體管應(yīng)用（主要含晶體管收音機(jī)、晶體管測(cè)試儀）以及常見(jiàn)的晶體管（如：場(chǎng)效應(yīng)晶體管,mos晶體管,絕緣柵雙極晶體管等）。本專(zhuān)題內(nèi)容豐富、包羅萬(wàn)象，希望對(duì)各位有所幫助！
2012-08-03 09:12:48
本文通過(guò)高清圖詳解Intel最新22nm 3D 晶體管 。業(yè)界一直傳說(shuō)3D三柵級(jí)晶體管技術(shù)將會(huì)用于下下代14nm的半導(dǎo)體制造，沒(méi)想到英特爾竟提前將之用于22nm工藝，并且于上周四向全世界表示將在
2012-08-03 17:09:180 Intel2011年5月6日研制成功的世界上第一個(gè)3D晶體管“Tri-Gate”現(xiàn)在已經(jīng)逐步進(jìn)入大家的視線了，本文將介紹3D晶體管的一些優(yōu)點(diǎn)。
2012-08-08 11:49:462303 本文核心議題： 通過(guò)本文介紹，我們將對(duì)Intel 22nm 3D三柵極晶體管技術(shù)有著詳細(xì)的了解。業(yè)界一直傳說(shuō)3D三柵級(jí)晶體管技術(shù)將會(huì)用于下下代14nm的半導(dǎo)體制造，沒(méi)想到英特爾竟提前將之用
2012-08-15 10:45:278565 
英特爾已經(jīng)準(zhǔn)備把第一個(gè)3D晶體管結(jié)構(gòu)導(dǎo)入大量生產(chǎn)，它將是首款使用3-D Tri-Gate晶體管的量產(chǎn)芯片。22納米處理器，代號(hào)為Ivy Bridge。3-D晶體管和2-D平面晶體管有本質(zhì)性的區(qū)別，它不只可
2012-08-15 11:23:241252 
英特爾已經(jīng)準(zhǔn)備把第一個(gè)3D晶體管結(jié)構(gòu)導(dǎo)入大量生產(chǎn)，它將是首款使用3-D Tri-Gate晶體管的量產(chǎn)芯片。22納米處理器，代號(hào)為Ivy Bridge。3-D晶體管和2-D平面晶體管有本質(zhì)性的區(qū)別，它不只可
2012-08-15 11:23:241528 英特爾已經(jīng)準(zhǔn)備把第一個(gè)3D晶體管結(jié)構(gòu)導(dǎo)入大量生產(chǎn)，它將是首款使用3-D Tri-Gate晶體管的量產(chǎn)芯片。22納米處理器，代號(hào)為Ivy Bridge。3-D晶體管和2-D平面晶體管有本質(zhì)性的區(qū)別，它不只可
2012-08-15 11:23:245599 近日消息，英特爾計(jì)劃將“3D晶體管”工藝應(yīng)用到SoC移動(dòng)芯片上，以獲得產(chǎn)品性能飛躍性提升，但對(duì)于“3D晶體管”技術(shù)是否適用于SoC芯片的制造，參與舊金山國(guó)際電子產(chǎn)品大會(huì)的專(zhuān)家們
2012-12-11 09:05:451434 FinFET的芯片。在2月份舉行的這次Common Platform 2013技術(shù)論壇上，IBM除了展示FinFET這種3D晶體管技術(shù)外，還展示了諸如硅光子晶體管，碳納米管等前沿技術(shù)。
2013-02-20 23:04:308361 米特拉表示，“如果利用碳
納米管晶體管取代硅
晶體管，效能比可提高1000倍?！?/div>
2016-08-22 14:03:541290 新的微加工技術(shù)可用于生產(chǎn)有史以來(lái)最小的3D晶體管，尺寸是目前主流商用產(chǎn)品的三分之一。
2018-12-12 09:40:483709 現(xiàn)如今，市場(chǎng)上最先進(jìn)的計(jì)算機(jī)芯片使用7納米晶體管。中國(guó)科學(xué)院微電子研究所微電子設(shè)備與集成技術(shù)領(lǐng)域的專(zhuān)家殷華湘說(shuō)，他的團(tuán)隊(duì)已經(jīng)研發(fā)出3納米晶體管——相當(dāng)于一條人類(lèi)DNA鏈的寬度，在一個(gè)指甲蓋大小的芯片上能安裝數(shù)百億個(gè)這種晶體管。
2019-06-13 16:08:275958 他于近日在底特律對(duì)數(shù)百名工程師表示：“這片晶片是上周五制造的……這是鑄造廠制造的第一塊單片3D集成電路?！本A上有多個(gè)芯片，由一層CMOS碳納米管晶體管和一層RRAM存儲(chǔ)單元構(gòu)成，這些存儲(chǔ)單元相互疊放
2019-10-13 16:50:003322 CPU里的晶體管都是集成的超微晶體管，一個(gè)22納米工藝的i5可能集成上十億的晶體管。
2020-01-31 16:10:0015286 但是，這并不代表著對(duì)碳納米管半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)會(huì)一帆風(fēng)順。1998年首個(gè)碳納米管晶體管研發(fā)至今，碳納米管半導(dǎo)體技術(shù)一直遭遇材料上的瓶頸。長(zhǎng)期以來(lái)，最小碳納米管CMOS器件的柵長(zhǎng)停滯在20nm（2014年 IBM）。
2020-08-31 15:00:504507 全環(huán)繞柵極晶體管的出現(xiàn)滿足了以上所有需求，從而允許摩爾定律在5納米之后進(jìn)一步前進(jìn)。首先其生產(chǎn)工藝與鰭式晶體管相似，關(guān)鍵工藝步驟幾乎一樣（這點(diǎn)我們會(huì)在之后的文章中進(jìn)一步講解）。其次，全環(huán)繞柵極晶體管
2020-09-29 13:54:394508 隨后，晶體管的小型化之路趨向緩慢?！度战?jīng)》稱(chēng)，從32納米到近期的10納米，雖然芯片制造商一直在標(biāo)榜芯片制程的縮小。但從2005年前后，這些數(shù)字不再是柵極的實(shí)際尺寸了。如今，所謂的“10納米”或“7納米”，只是芯片制造商的一種品牌標(biāo)簽。
2020-11-17 16:41:163067 來(lái)自復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院的消息，該校周鵬團(tuán)隊(duì)針對(duì)具有重大需求的3－5納米節(jié)點(diǎn)晶體管技術(shù)，驗(yàn)證了雙層溝道厚度分別為0．6 ／1．2納米的圍柵多橋溝道晶體管（GAA，Gate All Around），實(shí)現(xiàn)了高驅(qū)動(dòng)電流和低泄漏電流的融合統(tǒng)一，為高性能低功耗電子器件的發(fā)展提供了新的技術(shù)途徑
2020-12-24 12:38:464445 ? ? FinFET晶體管架構(gòu)是當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)的主力軍。但是，隨著器件的持續(xù)微縮，短溝道效應(yīng)迫使業(yè)界引入新的晶體管架構(gòu)。在本文中，IMEC的3D混合微縮項(xiàng)目總監(jiān)Julien Ryckaert勾勒出了
2020-12-30 17:45:164074 過(guò)時(shí)。IBM?在 2021?年就證明了這一點(diǎn)，其突破性的 2?納米芯片技術(shù)顛覆了市場(chǎng)。這個(gè)新的制造時(shí)代得益于減少芯片納米的競(jìng)賽。? 今天，晶體管的標(biāo)準(zhǔn)長(zhǎng)度是10納米，而且隨著最新研究，頂級(jí)公司已經(jīng)生產(chǎn)了5納米或7納米的芯片。從歷史
2022-01-07 10:12:35743 FinFET確切的說(shuō)，是一個(gè)技術(shù)的代稱(chēng)。世界上第一個(gè)3D三維晶體管是由英特爾在2011年5月宣布研制成功，當(dāng)時(shí)英特爾稱(chēng)其為 “Tri-Gate”（三柵極晶體管）。
2022-07-08 15:04:262297 MicroFAB-3D雙光子聚合3D納米光刻機(jī)是一款超緊湊、超高分辨率交鑰匙型3D打印機(jī)。雙光子聚合3D納米光刻機(jī)基于雙光子聚合(TPP)激光直寫(xiě)技術(shù)，兼容多種高分子材料，包括生物材料。MicroFAB-3D 3D納米光刻機(jī)幫助您以百納米級(jí)的分辨率生產(chǎn)出前所未有的復(fù)雜的微部件.
2022-08-08 13:54:188187 
碳納米管具有高穩(wěn)定性和卓越的電子特性，已成為替代晶體管中硅的主要候選材料。在11 月 17 日發(fā)表于《科學(xué)》雜志的一篇評(píng)論文章中，西北大學(xué)的Mark Hersam及其合作者概述了碳納米管在高性能 IC 以及適用于物聯(lián)網(wǎng)的低成本/低性能電子產(chǎn)品中的機(jī)遇和剩余挑戰(zhàn)
2022-11-25 10:03:361999 使用 3D 納米打印
2022-12-28 09:51:071449 50 V、3 A PNP 低 VCEsat 晶體管-PBSS5350D
2023-02-07 19:25:420 50 V、3 A PNP 低 VCEsat 晶體管-PBSS5350D-Q
2023-02-09 21:24:560 在半導(dǎo)體行業(yè)的最初幾十年里，新的工藝節(jié)點(diǎn)只需縮小晶體管的物理尺寸并將更多晶體管塞到芯片上即可實(shí)現(xiàn)性能、功耗和面積增益，這稱(chēng)為經(jīng)典縮放。集成電路工作得更好，因?yàn)殡娦盘?hào)在每個(gè)晶體管之間傳播的距離更短。
2023-07-16 15:47:431457 最近有許多正在全球范圍內(nèi)研究和開(kāi)發(fā)的技術(shù)，例如晶體管GAA（Gate All around）、背面供電以及3D IC。
2023-07-26 18:21:586699 
IBM 的概念納米片晶體管在氮沸點(diǎn)下表現(xiàn)出近乎兩倍的性能提升。這一成就預(yù)計(jì)將帶來(lái)多項(xiàng)技術(shù)進(jìn)步，并可能為納米片晶體管取代 FinFET 鋪平道路。更令人興奮的是，它可能會(huì)導(dǎo)致更強(qiáng)大的芯片類(lèi)別的開(kāi)發(fā)。
2023-12-26 10:12:551206 11月7日，有報(bào)道稱(chēng)，美國(guó)麻省理工學(xué)院的研究團(tuán)隊(duì)利用超薄半導(dǎo)體材料，成功開(kāi)發(fā)出一種前所未有的納米級(jí)3D晶體管。這款晶體管被譽(yù)為迄今為止最小的3D晶體管，其性能與功能不僅與現(xiàn)有的硅基晶體管相當(dāng)，甚至在某些方面還超越了后者。
2024-11-07 13:43:101592 新的晶體管技術(shù)。加州大學(xué)圣巴巴拉分校的研究人員在這一領(lǐng)域邁出了重要一步，他們利用二維（2D）半導(dǎo)體技術(shù)，成功研發(fā)出新型三維（3D）晶體管，為半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展開(kāi)啟了新的篇
2025-03-20 15:30:451074 
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