對(duì)于可穿戴設(shè)備的設(shè)計(jì)要求并不止步于封裝。由于容納電池的空間有限，產(chǎn)品在運(yùn)行和待機(jī)模式下均需極為省電，但又需支持藍(lán)牙通信，可立刻啟動(dòng)，還要能無(wú)縫運(yùn)行用戶設(shè)定的應(yīng)用程序。沒(méi)有人會(huì)僅僅為了看時(shí)間而購(gòu)買智能手表，但與漫畫(huà)書(shū)不同的是，很少有人希望用智能手表、互聯(lián)眼鏡或健身腕帶來(lái)取代智能手機(jī)，這在某種程度上降低了設(shè)計(jì)的難度。而智能手機(jī)也正在發(fā)展成為多用途中心，可支持、連接越來(lái)越多的可穿戴設(shè)備。這也意味著大多數(shù)可穿戴設(shè)備都不需要大容量永久性存儲(chǔ)或快速的多核處理器。因此，綜合考慮容量、尺寸和用電量要求，可穿戴設(shè)備是使用NOR閃存的理想平臺(tái)。

　　回到未來(lái)：NOR閃存最適用于可穿戴設(shè)備

　　在智能手機(jī)能夠存儲(chǔ)一季里值得收藏的電視秀或完整音樂(lè)庫(kù)之前，當(dāng)手機(jī)還只是部電話時(shí)， NOR閃存曾是手機(jī)首選的永久性存儲(chǔ)介質(zhì)。NAND成序列地存儲(chǔ)多個(gè)比特（bit），通過(guò)犧牲隨機(jī)存取的方式來(lái)獲得密度和寫(xiě)入速度，而NOR則更像傳統(tǒng)的DRAM——可以分別讀寫(xiě)每一個(gè)存儲(chǔ)單元，而不是一次讀寫(xiě)整個(gè)塊。這意味著NOR適用于可在本地執(zhí)行而無(wú)需首先復(fù)制到另外的RAM緩存的應(yīng)用程序代碼。隨機(jī)存取還意味著NOR閃存具備高速寫(xiě)入速度——對(duì)于串行設(shè)計(jì)（串行外設(shè)接口）可高達(dá)20MB/s，對(duì)于并行NOR設(shè)計(jì)可高達(dá)250MB/s。

　　在可穿戴設(shè)備中使用NOR閃存而不是NAND具有明顯的益處。NOR閃存的直接代碼執(zhí)行能力可顯著縮短啟動(dòng)時(shí)間，可以讓設(shè)備立刻啟動(dòng)。同樣，代碼執(zhí)行無(wú)需RAM就意味著待機(jī)時(shí)的用電量大大減少，因此在可穿戴設(shè)備必須使用微型電池的條件下，設(shè)備的使用時(shí)間可以得到延長(zhǎng)。

　　由于可穿戴設(shè)備一般會(huì)連接到另一個(gè)設(shè)備上，通過(guò)該設(shè)備連接互聯(lián)網(wǎng)服務(wù)和數(shù)據(jù)庫(kù)，所以它們無(wú)需存儲(chǔ)太多本地?cái)?shù)據(jù)。相對(duì)音頻和視頻文件的大小而言，就算是一整天的健康和健身測(cè)量數(shù)據(jù)都是極小的。鑒于可穿戴設(shè)備中的空間十分有限，NOR閃存容量與芯片尺寸比NAND更適合于應(yīng)用程序的需求。

　　第二點(diǎn)可能會(huì)讓人感到意外，因?yàn)镹AND閃存陣列的密度要大大高于NOR。實(shí)際上，由于NAND閃存針對(duì)最大密度設(shè)計(jì)，所以產(chǎn)品一般會(huì)使用最小工藝節(jié)點(diǎn)，目前為16nm 。但問(wèn)題是，除了存儲(chǔ)單元之外，所有存儲(chǔ)器器件都有一定的電路開(kāi)銷，例如行地址解碼器、感應(yīng)放大器、位線控制電路、外圍I/O電路、電壓調(diào)節(jié)器和I/O針腳等子系統(tǒng)。芯片上的開(kāi)銷區(qū)并不與存儲(chǔ)容量成線性增加?？s減存儲(chǔ)陣列的尺寸后，芯片上用于外圍邏輯的空間只會(huì)少量增加。這意味著即使使用上一代的25nm工藝尺寸，最小可行的NAND器件也是1Gbit。這對(duì)于大多數(shù)可穿戴應(yīng)用都是無(wú)法接受的，因?yàn)槭袌?chǎng)主要需要的是512Mbit或更小的存儲(chǔ)器件。

　　針對(duì)特定制程尺寸縮減NAND容量的局限性也讓封裝后的尺寸對(duì)于許多可穿戴應(yīng)用來(lái)說(shuō)過(guò)大。例如，用作某些應(yīng)用的NOR替代品的1Gbit串行NAND采用了9×11毫米63球柵陣列封裝方式。與之相反，最小的串行NOR 512Mbit和1Gbit NOR產(chǎn)品采用4或5×6毫米封裝方式，不到NAND替代品的1/3，因此更適合于可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)生態(tài)系統(tǒng)中其他聯(lián)網(wǎng)傳感器的微型電路板。

　　圖1：美光NOR閃存MCP尺寸比較。

　　NOR閃存也可被堆疊在設(shè)計(jì)有偽靜態(tài)PSRAM的多芯片封裝（MCP）中，已讓控制器芯片內(nèi)嵌入SRAM的應(yīng)用的容量大于那些系統(tǒng)芯片的常見(jiàn)的1Mbit。例如，含64Mbit NOR閃存和32Mbit PSRAM的52球MCP僅為4×6毫米，含高達(dá)512Mb NOR閃存和128Mb PSRAM的密度較高的MCP僅為8×8毫米。參見(jiàn)圖1美光NOR閃存MCP尺寸比較。其容量和耗電量對(duì)于大多數(shù)可穿戴設(shè)備來(lái)說(shuō)可能都過(guò)大，但它或許可以應(yīng)用于錄制視頻，例如眼鏡或移動(dòng)傳感設(shè)備中。

　　圖2：多芯片封裝能耗預(yù)估