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      百川ESD產(chǎn)品簡(jiǎn)介 2017版

      2017-10-09 | ppt | 2871KB | 次下載 | 1積分

      資料介紹

      百川ESD產(chǎn)品簡(jiǎn)介

      　　肖特基二極管

      　　肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢(shì)壘二極管（SchottkyBarrierDiode，縮寫成SBD）的簡(jiǎn)稱。

      　　主要構(gòu)造 ：

      　　a.普通二極管，PN結(jié)（通俗講晶圓）利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的。

      　　b.肖特基二極管，PN結(jié)（通俗講晶圓）是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)原理制作的 。

      　　主要參數(shù)：

      　　a. DC Reverse Voltage/工作電壓，選型時(shí)大于線路最高電壓，設(shè)計(jì)時(shí)管子留有余量，建議使用管子60%~70%*VR

      　　b.Mean Rectifying current/工作電流，選型時(shí)大于線路最大電流，設(shè)計(jì)時(shí)管子留有余量，建議使用管子60%~70%*Io

      　　c.Forward voltage/正向壓降，此值越小越好。

      　　注：正向壓降隨正向電流變化而變化，即正向電流越大，正向壓降也變大。

      　　d.封裝
      百川ESD產(chǎn)品簡(jiǎn)介 2017版

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