如今對(duì)于一些技術(shù)節(jié)點(diǎn)，設(shè)計(jì)人員需要在晶圓代工廠流片和驗(yàn)收之前進(jìn)行光刻友好設(shè)計(jì)（Litho Friendly Design） 檢查。由于先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的解析度增進(jìn)技術(shù)（RET） 限制，即使在符合設(shè)計(jì)規(guī)則檢查 （DRC） 的設(shè)計(jì)中，我們?nèi)钥吹搅烁嗟闹圃靻栴}。設(shè)計(jì)布局中制造特性較差的區(qū)域（即使應(yīng)用了 RET 技術(shù)）所謂光刻熱點(diǎn)，只有在設(shè)計(jì)驗(yàn)證流程中修改布局多邊形才能糾正這些熱點(diǎn)。
　　光刻熱點(diǎn)修復(fù)應(yīng)該滿足兩個(gè)條件：
　　首先，修復(fù)不能導(dǎo)致內(nèi)部或者外部違反 DRC（例如，進(jìn)行修復(fù)不應(yīng)該完全去除多邊形，使其寬度小于最小的 DRC 寬度，合并兩個(gè)多邊形或者使他們之間的距離小于最小的 DRC 間隔。）
　　其次，修復(fù)必須符合光刻友好設(shè)計(jì)，也就是說不僅要考慮修復(fù)熱點(diǎn)，而且要確保不產(chǎn)生新的熱點(diǎn)。
　　不過，移動(dòng)布局邊緣來修復(fù)光刻熱點(diǎn)，這些邊緣不一定是直接鄰接熱點(diǎn)。確定移動(dòng)哪個(gè)布局邊緣來修復(fù)光刻熱點(diǎn)的過程相當(dāng)復(fù)雜，因?yàn)閺脑O(shè)計(jì)布局到印出電路涉及一連串改變?cè)疾季中螤畹膹?fù)雜非線性步驟（如 RET），原本布局圖型改變及光學(xué)效應(yīng)對(duì)布局特征的影響需列入考慮。鑒于修復(fù)光刻熱點(diǎn)所需的布局修正必須由設(shè)計(jì)人員進(jìn)行，他們通常不熟悉這些流片后過程，顯然在修復(fù)過程中，電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化 （EDA） 工具需要為設(shè)計(jì)人員提供一些幫助。
　　在明導(dǎo)，我們稱之為基于模型的建議（MBH）。MBH 可以評(píng)估熱點(diǎn)、確定有哪種修復(fù)選擇可以使用、進(jìn)行模擬來確定這些修復(fù)建議也遵守所需的條件，然后為設(shè)計(jì)人員提供適當(dāng)?shù)男迯?fù)建議（圖1）。一次修復(fù)可能包括單邊移動(dòng)或者多邊移動(dòng)，一個(gè)光刻熱點(diǎn)可能存在不止一種可行的修復(fù)方法。此外，修復(fù)后的設(shè)計(jì)驗(yàn)證可以發(fā)現(xiàn)任何新的違反DRC最小線寬寬度或者間隔的狀況，但是它無法檢測(cè)到被刪除或者合并的多邊形，因此 MBH 系統(tǒng)必須將這個(gè)知識(shí)整合進(jìn)建議模型所提供的建議里。能夠在一個(gè)建議里看到所有可行的修復(fù)選擇，使設(shè)計(jì)人員同時(shí)擁有糾正熱點(diǎn)所需的信息以及進(jìn)行最適合其設(shè)計(jì)修復(fù)的靈活性。
　　
　　有關(guān) MBH 系統(tǒng)的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是他們可以拓展，通過使用以原始目標(biāo)層作為輸入端的分解層，為使用雙重或者三重圖案微影制造的層中發(fā)現(xiàn)的光刻熱點(diǎn)提供支持建議。這使設(shè)計(jì)人員能夠繼續(xù)解決20nm和以下的光刻熱點(diǎn)。事實(shí)上，我們已經(jīng)有許多客戶在多個(gè)設(shè)計(jì)中使用光刻模擬和 MBH 流片20nm芯片，從而消除光刻熱點(diǎn)。
　　當(dāng)然，不言而喻，任何生成這些建議的軟件解決方案還需要準(zhǔn)確和快速。
　　由于設(shè)計(jì)人員必須承擔(dān)越來越多的責(zé)任來確保設(shè)計(jì)可以通過日益復(fù)雜的生產(chǎn)流程進(jìn)行制造，EDA 軟件必須不斷發(fā)展來填補(bǔ)這一知識(shí)差距。具有基于模型的建議能力的光刻友好設(shè)計(jì)工具是 EDA 系統(tǒng)如何成為設(shè)計(jì)和制造之間橋梁的一個(gè)例子。
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