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隨著芯片集成度的不斷提高、器件尺寸的不斷縮小，光刻技術(shù)和光刻設(shè)備發(fā)生著顯著變化。通過對(duì)目前國(guó)內(nèi)外光刻設(shè)備生產(chǎn)廠商對(duì)下一代光刻技術(shù)的開發(fā)及目前已經(jīng)應(yīng)用到先進(jìn)生產(chǎn)線上的光刻技術(shù)及設(shè)備進(jìn)行了對(duì)比研究，對(duì)光刻技術(shù)和光刻設(shè)備的發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了介紹，并對(duì)我國(guó)今后半導(dǎo)體光刻技術(shù)及設(shè)備的發(fā)展提出了合理化建議。
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