資料介紹
摘要:本文制做了670nmGaInP?AlGaInP應(yīng)變層單量子阱脊形波導(dǎo)激光器。為了進(jìn)一步優(yōu)化工藝,在普通的單量子阱材料橫向結(jié)構(gòu)中嵌入了30~50nm的GaInP蝕刻阻擋層。用此種材料加工而成的腔長1200Lm、寬64Lm的氧化條激光器的閾值電流密度為340A?cm2。采用配比為1.0∶2.5的HCl∶H2O溶液對GaInP?AlGaInP進(jìn)行濕蝕刻研究,得到了較好的選擇蝕刻性結(jié)果。
關(guān)鍵詞:GaInP/AlGaInP;蝕刻阻擋層;選擇蝕刻性
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