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LED照明的神圣目標(biāo)就在于以最高能效與最佳成本效益的方式實(shí)現(xiàn)白光，而這也一直是制造商和學(xué)術(shù)界之間最熱門的討論話題。
傳統(tǒng)的途徑包括頻率向下反轉(zhuǎn)、結(jié)合高能量的藍(lán)光LED或近紫外線頻段，以及具有不同波長(zhǎng)的螢光粉。
相較于原始的發(fā)射器（以螢光粉覆蓋的LED），這種途徑通常以較低的量子效率模擬不完全的白光光譜。螢光粉的壽命有限也對(duì)于白光的整個(gè)產(chǎn)品生命周期帶來(lái)負(fù)面影響。
其他的解決方案結(jié)合了以不同峰值波長(zhǎng)發(fā)射的多個(gè)LED芯片，然而，同樣無(wú)法為真正白光帶來(lái)自然連續(xù)的發(fā)光過(guò)程。
香港大學(xué)（University of Hong Kong）的研究人員則看好可從單晶LED中取得寬頻白光。在最近發(fā)布于《ACS Photonics》期刊中的「寬頻InGaN LED單芯片」（Monolithic Broadband InGaN Light-EmittingDiode）一文中，研究人員發(fā)表可在藍(lán)寶石基板生長(zhǎng)高銦含量氮化銦鎵型氮化鎵（InGaN-GaN）量子阱（QW）結(jié)構(gòu)的結(jié)果。
研究人員接著使用矽膠納米粒子組合作為遮罩層，為整個(gè)堆疊進(jìn)行蝕刻，在整個(gè)LED芯片上留下納米柱圖案組合，范圍包括從直徑約150nm的納米尖端到直徑約7μm的微碟型共振腔。
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