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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>單片機(jī)>關(guān)于MOS管的15個(gè)為什么（二）

      關(guān)于MOS管的15個(gè)為什么（二）

      2022-02-10 | pdf | 190.64KB | 次下載 | 2積分

      資料介紹

      9、為什么在E-MOSFET的柵-漏轉(zhuǎn)移特性上，隨著柵-源電壓的增大，首先出現(xiàn)的是飽和區(qū)電流、然后才是線性區(qū)電流？ 【答】E-MOSFET的柵-漏轉(zhuǎn)移特性如圖1所示。在柵-源電壓VGS小于閾值電壓VT時(shí)，器件截止（沒有溝道），源-漏電流電流很?。ǚQ為亞閾電流）。 在VGS>VT時(shí)，出現(xiàn)溝道，但如果源-漏電壓VDS=0，則不會(huì)產(chǎn)生電流；只有在VGS>VT和VDS>0時(shí)，...
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