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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>IC datasheet pdf>HCTS112MS pdf datasheet(Radiat

      HCTS112MS pdf datasheet(Radiat

      2008-12-28 | rar | 145 | 次下載 | 3積分

      資料介紹

      Features
      ? 3 Micron Radiation Hardened SOS CMOS
      ? Total Dose 200K RAD (Si)
      ? SEP Effective LET No Upsets: >100 MEV-cm2/mg
      ? Single Event Upset (SEU) Immunity < 2 x 10-9 Errors/
      Bit-Day (Typ)
      ? Dose Rate Survivability: >1 x 1012 RAD (Si)/s
      ? Dose Rate Upset >1010 RAD (Si)/s 20ns Pulse
      ? Cosmic Ray Upset Rate 2 x 10-9 Errors/Bit Day (Typ)
      ? Latch-Up Free Under Any Conditions
      ? Military Temperature Range: -55oC to +125oC
      ? Significant Power Reduction Compared to LSTTL ICs
      ? DC Operating Voltage Range: 4.5V to 5.5V
      ? LSTTL Input Compatibility
      - VIL = 0.8V Max
      - VIH = VCC/2 Min
      ? Input Current Levels Ii ≤ 5μA at VOL, VOH
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