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The XP151A13A0MR is an N-Channel Power MOS FET with low on
state resistance and ultra high-speed switching characteristics.
Because high-speed switching is possible, the IC can be efficiently set
thereby saving energy.
In order to counter static, a gate protect diode is built-in.
The small SOT-23 package makes high density mounting possible.
state resistance and ultra high-speed switching characteristics.
Because high-speed switching is possible, the IC can be efficiently set
thereby saving energy.
In order to counter static, a gate protect diode is built-in.
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MOSFET
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