仁懋電子(MOT)推出的MOT20N50A是一款面向 500V 高壓場景的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET,憑借高開關(guān)速度、優(yōu)異的 dv/dt 能力及 500V 耐壓,適用于高效開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED 電源等領(lǐng)域。
一、產(chǎn)品基本信息
- 器件類型:N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET
- 核心參數(shù):
二、核心特性
- 高開關(guān)速度:開關(guān)特性優(yōu)異,適配高效開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器等對開關(guān)速度敏感的應(yīng)用場景,提升系統(tǒng)能量轉(zhuǎn)換效率;
- 改進(jìn)的 dv/dt 能力:優(yōu)化的 dv/dt 特性,適應(yīng)高壓場景下的嚴(yán)苛開關(guān)工況,可靠性更強(qiáng)。
三、關(guān)鍵電氣參數(shù)(\(T_c=25^\circ\text{C}\),除非特殊說明)
- 柵源極電壓(\(V_{GS}\)):最大值 ±30V,柵極驅(qū)動(dòng)需控制在該范圍以避免氧化層損壞;
- 功耗:
- TO-220 封裝下200W;
- TO-220F 封裝下175W;實(shí)際應(yīng)用需搭配散熱措施(如散熱片、PCB 敷銅)保障長期可靠工作;
- 雪崩特性:單脈沖雪崩能量(\(E_{AS}\))達(dá)130mJ,感性負(fù)載開關(guān)場景下可靠性強(qiáng);
- 熱特性:
- 結(jié) - 環(huán)境熱阻(\(R_{thJA}\)):TO-220 為 62.5℃/W,TO-220F 為 31.8℃/W;
- 結(jié) - 殼熱阻(\(R_{thJC}\)):TO-220 為 2.9℃/W,TO-220F 為 1.6℃/W;
- 結(jié)溫范圍(\(T_J\)):-55~+150℃,存儲溫度范圍與結(jié)溫區(qū)間一致。
四、封裝與應(yīng)用場景
- 封裝形式:
- TO-220 直插封裝,包裝規(guī)格為 50 片 / 管;
- TO-220F 直插封裝,包裝規(guī)格為 50 片 / 管;
- 典型應(yīng)用:
- 高效開關(guān)模式電源:如工業(yè) AC-DC 轉(zhuǎn)換器的功率回路中,作為主開關(guān)管實(shí)現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換;
- 半橋式電子鎮(zhèn)流器:用于熒光燈、高壓氣體放電燈的鎮(zhèn)流器電路,通過快速開關(guān)實(shí)現(xiàn)燈光穩(wěn)定控制;
- LED 電源:在高壓 LED 驅(qū)動(dòng)電源中作為主開關(guān)管,兼顧 500V 耐壓與開關(guān)性能需求。
五、信息來源
仁懋電子(MOT)官方產(chǎn)品手冊(注:以上參數(shù)基于手冊標(biāo)注整理,實(shí)際應(yīng)用需以最新版手冊及器件批次測試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。)
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選型手冊:MOT20N50A N 溝道功率 MOSFET 晶體管
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