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      SST26VF016/SST26VF032中文資料數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF免費(fèi)下載(串行閃存)

      2017-10-30 | rar | 4.62 MB | 次下載 | 免費(fèi)

      資料介紹

      　　串行四 I/O（SQI?）閃存器件系列采用 4 位復(fù)用 I/O 接口，可在低引腳數(shù)封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)低功耗和高性能的工作。使用 SQI 閃存器件的系統(tǒng)設(shè)計(jì)占用的電路板空間較少，最終可降低系統(tǒng)成本。 26 串行 SQI 系列的所有成員均采用 SST 專有的高性能 CMOS SuperFlash? 技術(shù)制造。與其他方法相比，分離柵極單元設(shè)計(jì)（Split-gate cell design）和厚氧化層隧穿注入器（Thick-oxide tunneling injector）可實(shí)現(xiàn)更高的可靠性和可制造性。 SST26VF016/032 可以顯著提高性能和可靠性，同時(shí)降低功耗。這些器件使用 2.7-3.6V 的單電源進(jìn)行寫操作（編程或擦除）。消耗的總能量是應(yīng)用中施加電壓、電流和時(shí)間的函數(shù)。對(duì)于任何給定的電壓范圍， SuperFlash 技術(shù)的編程電流更低、擦除時(shí)間更短；因此，在任何擦除或編程操作期間消耗的總能量低于其他閃存技術(shù)。 SST26VF016/032 提供 8 觸點(diǎn) WSON （6 mm x 5 mm）和 8 引腳 SOIC （200 mil）封裝。有關(guān)引腳分配，請(qǐng)參見圖 2。
      SST26VF016/SST26VF032中文資料數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF免費(fèi)下載(串行閃存)

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