資料介紹
實(shí)驗(yàn)內(nèi)容
1、按圖2-1畫出原理圖。
2、分析電壓增益中幅頻響應(yīng)和相頻響應(yīng),并求中頻增益,上、下限截止頻率。
3、改變Ce在1uF到100uF之間變化時(shí),試求下限頻率fL的變化范圍。
?。?)電路的Q點(diǎn)分析。選擇Analysis\Setup中的Bias Point Detail進(jìn)行分析,編譯仿真后,在Schematics原理圖編輯窗口點(diǎn)擊圖標(biāo)“”可以在原理圖上看到各點(diǎn)的電壓電流參數(shù),也可以打開輸出文件觀察,得到如下結(jié)果(即Q點(diǎn)參數(shù)):
IB=10.57uA,IC=1.554mA,UC=6.873V,UE=2.034V
?。?)設(shè)置AC Sweep分析,仿真后在Probe窗口中可觀察到電路如圖2-2所示電壓增益的幅頻響應(yīng)和相頻響應(yīng)。放大電路的A=16.429dB,fL=735.642Hz,fH=1.0312MHz.
?。?)設(shè)置AC Sweep分析和Parametric分析,當(dāng)Ce取1uF、5uF、10uF、20uF、50uF、80uF和100uF時(shí),得到圖c所示的電壓增益的幅頻響應(yīng)。由圖中看出,Ce在1uF到100Uf7之間變化時(shí),下限頻率fL從82758Hz下降到917Hz。Ce越大,下限頻率越低。
(a)電壓增益的幅頻響應(yīng) (b)電壓增益的相頻響應(yīng) (c)Ce變化時(shí)電壓增益的幅頻響應(yīng)
圖1-2
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