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介紹了一種雙膜橋微波MEMS 開(kāi)關(guān),給出了開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì)與優(yōu)化方法,建立了開(kāi)關(guān)的仿真模
型,使用硅表面微機(jī)械工藝制造了雙膜橋開(kāi)關(guān)樣品,其主要結(jié)構(gòu)為硅襯底上制作CPW 金屬傳輸線電極和介質(zhì)層,然后制作具有微電感結(jié)構(gòu)的金屬膜橋,提高了開(kāi)關(guān)隔離度。利用HFSS 軟件仿真的結(jié)果表明,該開(kāi)關(guān)在微波低頻段(3～6GHz) 有著很好的隔離性能。研制的開(kāi)關(guān)樣品在片測(cè)試的電性能指標(biāo)為:插損小于0. 3dB ,隔離度大于40dB ,驅(qū)動(dòng)電壓小于24V。
關(guān)鍵詞: 微機(jī)電系統(tǒng); 射頻開(kāi)關(guān); 高隔離度
型,使用硅表面微機(jī)械工藝制造了雙膜橋開(kāi)關(guān)樣品,其主要結(jié)構(gòu)為硅襯底上制作CPW 金屬傳輸線電極和介質(zhì)層,然后制作具有微電感結(jié)構(gòu)的金屬膜橋,提高了開(kāi)關(guān)隔離度。利用HFSS 軟件仿真的結(jié)果表明,該開(kāi)關(guān)在微波低頻段(3～6GHz) 有著很好的隔離性能。研制的開(kāi)關(guān)樣品在片測(cè)試的電性能指標(biāo)為:插損小于0. 3dB ,隔離度大于40dB ,驅(qū)動(dòng)電壓小于24V。
關(guān)鍵詞: 微機(jī)電系統(tǒng); 射頻開(kāi)關(guān); 高隔離度
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